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電子科学株式会社
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查詢內容必填	請參考下方的填寫範例，在您了解的範圍內填寫。
填寫範例1 填寫範例2 填寫範例3 【樣本】 例：Si基板上的ALD-Al₂O₃薄膜 【樣本尺寸】 例：直径300mm×　0.775mm 　　ALD-Al₂O₃膜的厚度　10nm 【樣本的顏色】 例：基板呈現一般矽晶圓的顏色、 　　薄膜呈無色透明狀。 【分析目的】 例： ALD-Al₂O₃薄膜中水分含量的定量分析 【想了解的氣體種類】 例：H₂O、氫氣(H₂)、氧氣(O₂) 【加熱條件】 例：加熱溫度範圍　RT～800 ℃ 　　升溫速率　60℃/min 【樣本數】 例：5 個樣本 【樣本處理注意事項等（非強制性） 】 例：由於將以全尺寸晶圓寄送， 請貴公司負責切割。 【樣本】 例：玻璃基板上的氧化物半導體薄膜 　　（IGZO膜） 【樣本尺寸】 例：10 mm × 10 mm × 0.5mm 　　IGZO薄膜的厚度　50nm 【樣本的顏色】 例：基板與薄膜均為無色透明。 【分析目的】 例：①IGZO薄膜中所含氫氣與水的評估。 　　②是否檢測到氧氣（O₂）和鋅（Zn）？ 【想了解的氣體種類】 例：H₂、H₂O、氧氣 (O₂)、Zn 【加熱條件】 例：加熱温度範囲　RT～600 ℃ 　　升溫速率　30℃/min 【樣本數】 例：10個樣本 【樣本處理注意事項等（非強制性） 】 例：由於難以分辨樣品的正反面， 因此在背面（玻璃基板側）標記了×號刻痕。 【樣本】 例：碳粉體 【樣本尺寸】 例：平均粒徑 100nm 【樣本的顏色】 例：黒 【分析目的】 例：①表面官能基的定性與定量。 　　②邊緣氫的定量分析 【想了解的氣體種類】 例：H₂、CO、CO2 【加熱條件】 例：加熱温度範囲　RT～1700 ℃ 　　昇温速度　30℃/min 【樣本數】 例：2 個樣本
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關於樣本處理	・樣品原則上將於分析完成後歸還。 ・升溫脫附分析（TDS）屬於伴隨加熱的破壞性分析，因此樣品可能因測量而發生變化。 ・視樣品種類及測量條件而定，可能因揮發等因素導致難以回收樣品。