2004：論文、期刊、書籍

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004：會議摘要

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4.升溫脫離分析法中H₂O模式係數的測定方法

• 常盤聡子*1, 西出利一*2, 橋詰昭夫*3, 宮林延良*3
• *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *1 日本大學工學部次世代工程技術研究中心, *2 日本大學工學部物質化學工學系, *3 電子科学(株)
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

2003：論文、期刊、書籍

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

• Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
• Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
• Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

• Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
• Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO₂ Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

• Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
• *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
• *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003：會議摘要

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
• Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

• Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3.電子注入層對有機EL/Si發光層的影響

• 三富豊, 高橋秀明, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, 宮林延良*
• 東京農工大學工學院、*電子科學股份有限公司
• 第64屆應用物理學會學術研討會（2003年秋季）：31p-YL-11

4.利用 H₂O 燒灼法降低 CVD-SiOC 薄膜的燒灼損傷

• 山中通成，湯浅寛，大塚俊宏，坂森重則*
• 松下電器產業株式會社 導體事業部 製程開發中心、*(株)Renesas Technology 生產技術本部 晶圓製程技術統括部
• 第64屆應用物理學會學術研討會（2003年秋季）：31a-ZK-8，第669頁

5.透過氮氣等離子體處理防止層間絕緣層吸附水分

• 大塚俊宏，久都内知恵，今西貞之
• 松下電器產業株式會社 半導體公司 製程開發中心
• 第64屆應用物理學會學術研討會（2003年秋季）：2p-YC-1，第706頁

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

• Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
• Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002：論文、期刊、書籍

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

• Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
• *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

• S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
• *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4.利用升溫脫離法評估透明導電膜

• 澤田豊, 関成之, 青山剛志, 佐野真紀子*, 宮林延良*
• 東京工藝大學, *電子科学
• 透明導電膜的新發展，第15章，175頁（CMC出版）

5.透過氘氣提升超薄閘極氧化層可靠性的實證研究及可靠性提升機制之解析

• 三谷祐一郎, 佐竹秀喜
• 東芝株式會社 研究開發中心
• 東芝評論，57(11)，34(2002)

6.藍色發光BaAl₂S₄:Eu薄膜的熱處理過程評估

• 永野真一, 川西光弘, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大學 理工學部 電子通信工程學系
• 信學技報 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,EID2001-90,49(2002)

7.利用氫氣對鈦氧化膜進行升溫脫附的定量動態評估

• 山内康弘, 水野善之**, 田中彰博*, 本間禎一
• 千葉工業大學, *ULVAC-FAI株式會社, **史丹佛大學史丹佛線性加速器中心
• 真空, 45(3), 265 (2002)

8.等離子顯示面板用MgO的脫氣特性

• 植田康弘, 黒川博志
• 三菱電機株式會社 尖端技術綜合研究所
• 真空,45(2),97(2002)

9.表面科學-化學反應的物理學-

• 村田好正
• 東京大學名譽教授
• 岩波講座　物理的世界　（岩波書店）

2002：會議摘要

1.採用升溫脫離法分析二氧化鈦凝膠膜的燒結過程

• 矢部貴行，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學院，*電子科学
• 2002年日本陶瓷協會年會演講摘要集(2002年3月)：2I21

2.¹⁸O含的鈦酸鹽凝膠法製備之鈦酸鹽凝膠膜燒結製程

• 西出利一，矢部貴行，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學院，*電子科学
• 2002年日本陶瓷協會年會演講摘要集(2002年3月)：2I22

3.析出相對銅合金中氫擴散行為的影響

• 冨田英昭, 倉本繁*, 菅野幹宏**
• 東京大學研究所, *豐田中研, **東京大學工學院
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2002)；(1384)

4.利用升溫脫附氣體分析的薄膜氣體感測器研究

• 高橋修, 原和裕
• 東京電機大学
• 第63屆應用物理學會學術研討會論文集（2002年秋季）：24p-K-2

5.利用TDS評估Alq3分子蒸鍊過程～Alq3純化之效果～

• 平井敦, 三富豊, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, ＊佐野真紀子, ＊宮林延良
• 東京農工大學, ＊電子科学
• 第63屆應用物理學會學術研討會論文集（2002年秋季）：26p-ZH-1

6.藍色發光 BaAl₂S₄：Eu　EL元件的水定量分析

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大學理工學院
• 第63屆應用物理學會學術研討會論文集（2002年秋季）：26p-ZD-14

2001：論文、期刊、書籍

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
• Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
• (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
• J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

• N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
• Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001：會議摘要

1.利用升溫脫離分析評估材料

• 宮林延良
• 電子科学
• 2001年度 神奈川縣產學公交流研究發表會（2001年10月19日）

2.表面分析とTDS

• 佐野真紀子
• 電子科学
• 第4屆 實用表面分析研討會（2001年11月9日）

3.採用升溫脫離法對溶膠-凝膠法製備的二氧化鈦凝膠膜進行燒結過程的分析

• 矢部貴行, 西出利一, ＊宮林延良, ＊佐野真紀子
• 日本大學　工學部, ＊電子科学
• 日本陶瓷協會 第14屆秋季研討會演講摘要集：2B04

4.具氣體選擇性吸附特性的無機-有機雜化材料的製備與評估

• 山田紀子, 久保祐治, 片山真吾
• 新日本製鐵股份有限公司　尖端技術研究所
• 日本陶瓷協會 第14屆秋季研討會演講摘要集：3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 日本材料學會 50週年國際研討會(2001.05)

6.Al₂O₃、ZrO₂之環境脆化及水、氫的存在狀態分析

• 野口和彦, 高井健一, 久森紀之, 野末章
• 上智大學　理工學部
• 第129屆日本金屬學會秋季研討會，編號100.

7.石英玻璃纖維的環境脆化及其水中與氫的存在狀態分析

• 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大學　理工學部
• 第129屆日本金屬學會秋季研討會，編號99.

8.利用溶膠-凝膠法製備鉘薄膜之升溫脫離法燒結過程研究

• 阿達金哉，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學院，*電子科学
• 2001年日本陶瓷協會年會演講摘要集（2001年3月）：2K26

9.含18O的溶膠-凝膠法製備鉿薄膜的燒結過程

• 西出利一，阿達金哉，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大學工學部，*電子科学
• 2001年日本陶瓷協會年會演講摘要集（2001年3月）：2K27

10.採用升溫脫離法對 ITO 透明導電膜之研究

• 関成之，澤田豊，*宮林延良，*佐野真紀子，**井出美江子
• 東京工藝大學，*電子科学，**橫濱市工技支援中心
• 2001年日本陶瓷協會年會演講摘要集（2001年3月）：2K28

11.矽化窒素粉末的氧氣行為(Ⅱ)

• 別府義久，安藤元英，大司達樹*
• Synergy研，*名工研
• 2001年日本陶瓷協會年會演講摘要集（2001年3月）：2A34

12.利用升溫脫離法分析Al₂O₃與ZrO₂中水與氫的存在狀態

• 野口和彦，太田雅人，高井健一，久森紀之，野末章
• 上智大學理工學院
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(1002)

13.H₂O 與 H₂ 對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 山田大策，野田武，高井健一，野末章
• 上智大學理工學院
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(1071)

14.鎳鈦合金的氫擴散速率與體內脆化

• 浅岡憲三，横山賢一
• 德島大學・牙醫
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(126)

15.fcc　Fe含量對Pd-Fe合金氫釋放光譜的影響

• 山下博史，*原田修治
• 新潟大學研究所學生，*新潟大學工學部
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(194)

16.BCC型Ti-Al-Zr合金的氫誘導非晶化

• 宮島啓将，*石川和宏，*青木清
• 北見工業大學，*北見工業大學工學院
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(211)

17.奈米結構石墨-氫系統的脫氫過程

• 松島智善，折茂慎一，藤井博信
• 廣島大學綜合科
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(212)

18.Ti3Al基合金的氫儲存特性（化學計量比偏差的影響）

• 小島佑介，渡辺宗能，*田中一英
• 名工大(院)，*名工大･工
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(214)

19.二元鈦-鋁合金的氫氣吸附與釋放特性

• 橋邦彦，*石川和宏，**鈴木清策，*青木清
• 北見工大院，*北見工大工，**NSW大，
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(215)

20.LaNi5的轉移導入與氫陷阱

• 山本篤史郎，*乾晴行，*山口正治
• 京大工･院，*京大･工
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(218)

21.晶格缺陷對 LaNi5 中殘留氫的影響

• 榊浩司，*竹下博之，*栗山信宏，**村上幸男，**水林博，***荒木秀樹，***白井泰治
• 阪大･院，*大工研，**筑波大，***阪大･工
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(219)

22.採用機械合金化法製備之Ti-Zr-Ni系準結晶與非晶態粉末之氫吸放特性比較

• 高崎明人，*韓昶浩，**古谷吉男
• 芝浦工大･工，*芝浦工大(院)，**長崎大教育
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(222)

23.(Mg，Yb)Ni₂合金的氫氣儲存

• 大津秀貴，神田和幸，*石川和宏，*青木清
• 北見工大院，*北見工大工
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(230)

24.可在低溫下進行吸附與釋放的高容量奈米複合鎂薄膜

• 樋口浩一，梶岡秀，間島清和，本多正英，*山本研一，**折茂慎一，藤井博信
• 廣島縣西部工業技術中心、*馬自達株式會社、**廣島大學綜合科學部
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(231)

25.透過氫吸藏處理實現5083鋁材的晶粒細化及其力學性質

• 船見国男，*佐野龍聖
• 千葉工業大學工學部，*千葉工業大學研究所學生
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(256)

26.伴隨陰極氫吸收而導致的SUS304不鏽鋼硬度增加

• 羽木秀樹
• 福井工業大學
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(264)

27.鐵素體鋼的氦與氘吸附特性

• 高尾康之，*岩切宏友，*吉田直亮
• 九州大學・研究所，*九州大學・應力研究所
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(64)

28.Mg2Ni/LaNi5複合材料的組織及其鈾-238吸附與解吸特性

• 奥村勇人，松井旭紘，山際真太郎，鎌土重晴，小島陽
• 長岡技術科學大學(工)
• 日本金屬學會春季大會演講摘要(2001)；(928)

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

• Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
• JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
• Materials Research Society Symposium Proceedings，Vol. 670，pp. K7.8.1-K7.8.6，2001

30.利用鎳催化劑進行鎂摻雜GaN低溫活化的機制

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 東京大學工學院，＊昭和電工　　
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：11p-Q-2

31.利用過渡金屬催化層對鎂摻雜GaN進行低溫活化

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 東京大學工學院，＊昭和電工　　
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：11p-Q-3

32.H⁺離子注入所致之矽材料分層現象（ESR評估）

• 佐々木志保, 和泉富雄, ＊原徹
• 東海大學工學院，＊法政大學工學院　
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：12a-V-7

33.碳納米管釋放氣體的TDS分析

• 岡井誠, 宗吉恭彦, 矢口富雄, 林伸明
• 日立顯示器集團
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：12a-ZT-4

34.激子淋浴化學氣相沉積（Radical Shower-CVD）中的薄膜品質控制

• 熊谷晃, 石橋啓次, 張宏, 田中雅彦, 北野尚武, 徐舸, 横川直明, 池本学
• 安妮爾巴　
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：13a-C-7

35.外延生長SrRuO₃薄膜特性的成膜方法依賴性

• 高橋健治, 及川貴弘, ＊斎藤啓介, 舟窪浩
• 東京工業大學物質創生學系，＊日本飛利浦　
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：13a-ZR-8

36.利用升溫脫離氣體分光法分析藍色發光BaAl₂S₄:Eu薄膜的熱處理過程

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大學　
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：14a-P14-12

37.直径70mm〜110mm

• 霜垣幸浩, 濱村浩孝
• 東京大學工學部　
• 第62屆應用物理學會學術研討會論文集（2001年秋季）：14a-X-3

38.利用TDS評估Alq3分子蒸鍍過程及其應用

• *平井敦, *岩崎好孝，*逢見真彦，*，**上野智雄，*黒岩紘一，***佐野真紀子，***宮林延良
• *東京農工大學・工學院，**現任，新能源與工業技術綜合開發機構（NEDO），***電子科学
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；29p-ZN-12

39.透過 SiO₂ 薄膜進行 H⁺ 離子注入之矽材料之分層現象（ESR 評估）

• 佐々木志保，和泉富雄，*原徹
• 東海大學工學部，*法政大學工學部
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；30a-P11-7

40.利用升溫脫離分析法對環境測量感測器的運作進行分析

• 横山達也，原和裕
• 東京電機大學
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；30p-ZR-10

41.鎂摻雜GaN的低溫活化（1）—O₃、N₂O中熱處理的效果-

• 脇一太郎，藤岡洋，尾嶋正治，*三木久幸，*蕗澤朗
• 東京大學工學研究所、*昭和電工株式會社秩父研究室
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；31p-K-2

42.真空升溫過程中 a-Ge:H 薄膜的氫鍵狀態與薄膜品質評估(Ⅲ)

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 東京工藝大學研究所・合作尖端技術研究中心
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；28a-ZL-8

43.利用氫氣對鈦氧化膜進行升溫脫附動態評估

• 山内康弘，水野善之，*田中彰博，本間禎一
• 千葉工業大學，*Alback-Fai股份有限公司
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；29p-ZF-6

44.來自石英玻璃的氚氣反彈釋放

• 那須昭一，文雅司，*谷藤隆昭，*実川資郎
• 金澤工業大學，*日本原子能研究所
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；29p-ZL-11

45.利用氫原子固相隧道效應進行半導體薄膜製備之極低溫反應裝置之開發(Ⅱ)

• 佐藤哲也，鈴木克憲，高橋幸則，菱木繁臣，岡崎重光，中川清和，平岡賢三，*佐藤昇司，*宮田千治，**高松利行
• 山梨大學工學院，*宮通通信工業，**SST
• 第48屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2001年3月　明治大學）；30a-ZT-7

2000：論文、期刊、書籍

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

• Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
• Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2.利用升溫脫離分析法評估分子性污染及其對元件的影響

• 平下紀夫
• 沖電氣工業株式會社 超LSI研發中心
• Realize公司，半導體潔淨技術系列基礎講座[UCT-10]

3.恆溫變態溫度及拉絲加工對供析鋼氫吸附特性的影響

• 高井健一, 野末章
• 上智大學理工學部機械工程學系
• 日本金屬學會誌，64，669（2000）

4.DRAM用Ta₂O₅電容器製程技術

• 神山聡
• 日本電氣株式會社 系統裝置基礎研究本部
• 應用物理學，69，1067（2000）

5.等離子顯示面板用MgO薄膜的蒸鍍過程中的氧分壓與氣體吸附特性

• 沢田隆夫, 渡部勁二*, 福山敬二, 大平卓也, 衣川勝, 佐野耕**
• 三菱電機株式會社 尖端技術綜合研究所, *埃瓦雷姆株式會社, **三菱電機株式會社 顯示器裝置統括事業部
• 真空,43(10),973(2000)

6.Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

• Noriko Yamada and Toru Takahashi
• Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000：會議摘要

1.不同結晶型態的AlOOH在加熱過程中的相變

• 永島徹, 亀島欣一, 安盛敦雄, 岡田清, *佐野真紀子
• 東京工業大學理工學研究院，*電子科學
• 日本陶瓷協會 第13屆秋季研討會 摘要集

2.利用固態核磁共振分析二氧化矽及其結構

• 荒又幹夫，福岡宏文，藤岡一俊
• 信越化學群馬事業所
• 第61屆分析化學研討會（2000年5月18日，長岡Lyric Hall）：2H14

3.Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
• The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4.利用升溫脫離法研究 HfO₂ 薄膜的燒結過程

• 阿達金哉, 西出利一, 宮林延良*, 佐野真紀子*
• 日本大學工學院，電子科學*
• 日本陶瓷協會東北北海道支部研究發表會 第20屆基礎科學部會東北北海道地區懇談會（2000年秋季）：1P19

5.利用升溫脫離法分析 HfO₂ 薄膜

• 佐野真紀子, 宮林延良, 阿達金哉*, 西出利一*,
• 電子科学, *日本大學工學院
• 第4屆實用表面分析研討會（2000年12月8日）：P1-10

6.H₂O與H₂對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 野田武, 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大學理工學院
• 日本金屬學會秋季大會演講摘要(2000) p509

7.水與氫氣對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 高井健一, 野田武, 野末章
• 上智大學 理工學院
• (社)日本鋼鐵協會 材料組織與特性部會 科學技術振興調整費綜合研究 第5屆成果報告會研討會 概要集第7頁（2000年秋季）

8.H₂O 與 H₂ 對石英玻璃纖維環境脆化的影響

• 高井健一, 野田武, 河村真次, 野末章
• 上智大學 理工學院
• 第一屆微材料研討會論文集 p43（2000年秋季）

9.低介電常數多孔膜經ICP氧等離子體照射後的膜質變化

• 藤内篤, 荒尾弘樹, 江上美紀, 中島昭, 近藤英一*, 浅野種正*
• 觸媒化成工業株式會社精密研究所、九州工業大學微型化綜合技術中心*
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：4a-P4-18

10.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法 1 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC),
  松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(大阪大學)
• UCS 半導體基礎技術研究會 標準化委員會 設備分會
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：4p-ZC-10

11.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法 2 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC),
  松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(大阪大學)
• UCS 半導體基礎技術研究會 標準化委員會 設備分會
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：4p-ZC-11

12.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法 3 UC標準規格

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC),
  松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(大阪大學)
• UCS 半導體基礎技術研究會 標準化委員會 設備分會
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：4p-ZC-12

13.升溫脫離分析法中矽基板溫度之校正方法 4 UC標準規範

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(東麗研究中心), 嶋崎綾子(東芝), 神保智子(日立), 西塚勝(東芝微電子), 西山岩男(NEC),
  松浦正純(三菱電機), 松永利之(松下科技研究), 森田瑞穂(大阪大學)
• UCS 半導體基礎技術研究會 標準化委員會 設備分會
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：4p-ZC-13

14.高選擇性氧化膜蝕刻中的表面反應層分析

• 小澤信夫, 辰巳哲也, 石川健治, 栗原一彰, 関根誠
• ASET 等離子體研究所
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：6a-ZF-8

15.透過薄層二氧化矽膜注入高濃度 H+ 離子的矽之退火特性

• 佐々木志保, 宇治川浩章, Choudhury Elshad Ali, 和泉富雄, 原徹*
• 東海大學工學院、法政大學工學院*
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：6p-ZD-17

16.W多晶矽薄膜的蝕刻特性

• 福永裕之, 長友美樹, 斎藤秀一
• 東芝株式會社 生產技術中心
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：7a-W-8

17.晶圓表面吸附有機物的吸附與脫附行為2

• 白水好美, 高田俊和, 駒田香織*
• 日本電氣株式會社、NEC軟體株式會社*
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：3p-ZC-7

18.利用HMDSO的等離子體化學氣相沉積法製備低介電常數薄膜（1）－採用N2O作為氧化劑－

• 山本陽一, 猪鹿倉博志, 石丸智美, 小竹勇一郎, 大河原昭司, 塩谷喜美*, 大平浩一*, 前田和夫*
• 佳能銷售股份有限公司、半導體製程研究所股份有限公司*
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：4a-P4-21

19.利用NH3/SiF4系a-SiNx:F於極低溫下形成閘極氮化膜(II)

• 大田裕之, 堀勝, 後藤俊夫
• 名古屋大學・工
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：5a-ZD-4

20.鈣氧化物在 Si(100)2×1 晶面上的 TDS、UPS

• 石躍晶彦, 藤井孝司, 豊島誠也, 浦野俊夫, 本郷昭三
• 神戶大學工學院
• 第61屆應用物理學聯合學術研討會論文集（2000年秋季）：6a-S-1

21.利用溶膠-凝膠法將氟化醇吸附於 HfO₂ 薄膜上

• 阿達金哉，西出利一，渡部修*，高瀬つぎ子*，宮林延良**
• 日本大學工學部、福島縣高科技廣場*、電子科學股份有限公司**
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29a-ZG-3

22.採用低介電常數絕緣層的達馬辛佈線結構中電容的溫度依賴性

• 東和幸，松永範昭，中田鎮平，柴田英毅
• 東芝半導體株式會社微電子技術研究所
• 第47屆應用物理學聯合研討會論文集（2000年春季）：第29頁-YA-11

23.各種濕法處理對有機聚合物系低介電常數絕緣膜PAE的影響

• 北沢良幸，友久伸悟，西岡康隆，保田直紀，村中誠志*，後藤欣哉*，松浦正純*，豊田良彦，大森達夫
• 三菱電機株式會社尖端技術綜合研究所，ULSI技術開發中心*
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29頁-YA-16

24.利用等離子體重合法降低BCB薄膜的介電常數

• 多田宗弘，川原潤，林喜宏
• NEC矽系統研究所
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29頁-YA-8

25.Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• FRS RIKEN, Saitama Univ.*
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29p-YA-8

26.關於氟化烷基硫醇自組裝單分子膜吸附與脫附過程之研究

• 鈴木章弘1，奥出由利子1，中村史夫2，原正彦12，玉田薫3，福島均4，T.R.Lee5
• 東京工業大學綜合理工學院1、理化學研究所2、物質科學研究所3、精工愛普生4、休士頓大學5
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29p-YA-8

27.矽晶圓表面水分及有機物吸附狀態之分析

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本製鐵股份有限公司尖端技術研究所
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：28p-YH-7

28.低介電常數SOG中官能基的等離子體反應性

• 近藤英一，弓井俊哉，浅野種正，荒尾弘樹*，中島昭*
• 九州工業大學微型化綜合技術中心、觸媒化成工業股份有限公司、Fine研究所*
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29a-YA-10

29.鈦金屬表面研磨對氣體釋放特性的影響

• 岡田隆弘，田中彰博，水野善之，本間禎一
• 千葉工業大學、Alback-Fai股份有限公司*、日本巴爾卡工業股份有限公司**
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29a-ZG-1

30.Ta₂O₅/TiN_x/Si_(x>1) 退火時，TiN層釋放出的過量氮

• N.Yasuda*,***，H.C.Lu*，E.Garfunnkel*，T.Gustafsson*，J.P.Chang**，G.Alers**
• Rutgers University*，Lucent Technologies**，On leave from Toshida Corporation***
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29a-ZG-3

31.利用升溫脫離法測定非晶矽薄膜中的氫含量

• 稲吉さかえ，斉藤一也，橋本征典*，浅利伸*
• 日本真空技術株式會社筑波超材料研究所、同千葉超材料研究所*
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29p-ZH-1

32.真空升溫過程中 a-Ge:H 薄膜的氫鍵狀態與薄膜品質評估

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 東京工藝大學研究所・合作尖端技術研究中心
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29p-ZH-6

33.利用氣相放電法製備之a-SiC:H薄膜結構與表面觀察（II）

• 本橋光也，曽江久美，本間和明
• 東京電機大學工學部
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：29p-ZH-9

34.透過氫終端Si(111)表面上的選擇性氫脫離形成懸空鍵鏈列

• 井上浩介，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 廣島大學工學部
• 第47屆應用物理學相關聯合研討會論文集（2000年春季）：30p-YH-11

35.固態核磁共振在矽系化合物狀態分析中的應用

• 荒又幹夫
• 信越化學群馬事業所
• 第26屆固態NMR・材料研究會（2000年5月8日，京都平安會館）

36.利用升溫脫附法研究 HfO₂ 薄膜的燒結製程及表面狀態

• 阿達金哉, 西出利一, *宮林延良, *佐野真紀子
• 日本大學工學院，電子科學
• 第36屆熱分析研討會論文摘要集，90(2000年秋季)

37.利用升溫脫附法研究二氧化鈷薄膜的表面狀態

• 西出利一, 常磐聡子, *宮林延良, *佐野真紀子, **佐藤誓
• 日本大學工學院, *電子科學, **日產阿克
• 第36屆熱分析研討會演講摘要集,92(2000年秋季)

38.利用TDS對金屬氧化物薄膜進行表面分析

• 西出利一
• 日本大學 工學部
• 第8屆TMS研究會論文集第4頁（2000年4月28日）