何謂升溫脫離分析
一種透過在恆定升溫速率下，測量因化學物種脫附所引起的壓力變化及脫附化學物種的量變化，藉此鑑定固體表面吸附化學物種，
並獲取有關吸附量、吸附狀態及表面脫附過程等資訊的方法。
由於是在控制升溫速率的同時進行測量，因此亦稱為TPD（溫度程式化脫附）。
雖然此法亦用於研究載體金屬催化劑等固體粉末試樣的表面吸附狀態，但更是研究單晶表面吸附狀態的主要方法之一。
在鑑定脫附化學物種及測量脫附量時，通常會使用四極桿質譜儀。
可獲得隨溫度變化而釋放的分子種序列，此稱為升溫脫附光譜（thermal desorption spectrum）。
升溫速率範圍廣泛，從102～103K/s的瞬時脫附（flash desorption），到一般常見的10～10-2K/s皆涵蓋其中。
透過分析升溫脫附光譜的形狀，以及改變升溫速率時光譜形狀的變化，可獲得關於吸附狀態的諸多見解。
※引用自株式會社岩波書店《理化學辭典》第5版第643頁第799項「升溫脫附法」。
此外，關於本文刊載，已於2000年7月獲得刊載許可。謹此致謝。
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