1991：論文、期刊、書籍

1.Oxidation Process of Hydrogen Terminated Silicon Surface Studied by Thermal Desorption Spectroscopy

• Norikuni Yabumoto, Kazuyuki Saito, Mizuho Morita* and Tadahiro Ohmi*
• NTT LSI Laboratories, *Faculty of Engineering,Tohoku University
• Jpn.J.Appl.Phys.,30,L419(1991)

2.新型升溫脫附氣體分析儀器的開發及其在VLSI材料與製程評估中的應用

• 平下紀夫, 味岡恒夫, 日永康*
• 沖電氣工業股份有限公司 超LSI開發中心, *電子科学(株)
• 真空,34,813(1991)

～1991：會議摘要

1.清洗後矽表面之物理性質及其分析

• 藪本周邦, 斎藤和之, 森田瑞穂*, 大見忠弘*
• NTT LSI研究所、*東北大學 工學部
• 1991 年電子資訊通信學會春季全國大會摘要集，5-331，(1991)：SC-9-1

発表年不明：論文、期刊、書籍

1.利用 APIMS 進行升溫脫附氣體分析

• 溝上員章, 中野和男, 小池譲治, 小川哲也
• 日立東電 電子裝置事業部
• 日立東電 TECHNICAL REPORT,11,10(????)

2.升溫脫離氣體分析法（TDS）的應用

• 東麗研究中心
• 東麗研究中心
• Technical Information

3.Improved Interconnect Yield Through Surface Control By Silylation (SCS) Method

• K.Yano, M.Yamanaka, Y.Terai, T.Sugiyama, M.Kubota, M.Endo and N.Nomura
• Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.
• Symposium 1993 on VLSI Technology

4.電鍍銅箔上極薄錫鍍層的擴散行為

• 山下勝, 大熊秀雄*
• （株）艾特斯 可靠性・材料技術部，日本IBM（株）野洲事業所 液晶技術部
• 來源不明

5.利用硫沉積的各向異性蝕刻

• 門村新吾, 辰巳哲也, 長山哲治, 佐藤淳一
• 索尼股份有限公司
• Semiconductor World 12：1993年01月

6.利用升溫熱脫附分析儀對矽晶圓表面有機物進行評估

• 岡田千鶴子, 龍田次郎, 新行内隆行
• 三菱材料株式會社 中央研究所
• 來源不明

7.MODEL STUDIES OF DIELECTRIC THIN FILM GROWTH CVD DEPOSITION OF SiO2 FROM TEOS

• J.E.Crowell, H-C.Cho, F.M.Cascarano, L.L.Tedder and M.A.Logan*
• Department of Chemistry, University of California, San diego, *Lam Reserch Corporation, Advanced Research Center
• 來源不明

8.Evaluation of adsorbed molecules on silicon wafers

• Norikuni YABUMOTO
• NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 來源不明

9.利用TDS探討O₂+H₂O下行流的腐蝕抑制機制

• 小尻英博, 松尾二郎*, 渡辺孝二, 中村守孝
• 富士通, *富士通研究所
• 電子信息通信學會技術研究報告. SDM, 矽材料與元件 94(11), 39-46, 1994-04-21

10.矽晶圓表面的吸附成分－利用升溫脫附法進行分析

• 藪本周邦
• NTT LSI研
• 來源不明

発表年不明：會議摘要

1.著色羥基磷灰石的特性分析

• 石川剛
• 旭光學工業股份有限公司 新陶瓷事業部
• 磷灰石研究會

2.Recovery of Useful Hydrocarbons from Oil Palm Waste Using ZrO2 Supporting FeOOH Catalyst

• Takao MASUDA, Yumi KONDO, Masahiro MIWA, Shin R. MUKAI, Kenji HASHIMOTO and *Mikio TAKANO
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University and *Institute for Chemical Research, Kyoto University
• Book of Abstracts, 16th International Symposium on Chemical Reaction Engineering

3.SiO₂孔內蝕刻過程中的表面反應

• 平下紀夫, 池上尚克
• 沖電氣工業株式會社 超LSI研究開發中心
• 第44屆半導體專業研討會論文集,139