1.含氫端基矽的隨時間變化

目的・實驗
我們研究了經由高頻（HF）處理、表面以氫原子封尾的矽晶圓，隨時間推移會產生何種變化。我們透過使吸附於表面的氫原子脫離，進而進行了評估。
我們依照以下步驟進行實驗與評估。
1. 準備實驗中使用的氫終端 Si 晶片。
2. 調整樣品後，對經過 2 天、7 天、14 天及 28 天的 Si 晶片進行升溫脫附實驗（升溫速率 = 60K/sec）。
3. 針對脫附出的氫氣，比較其脫附訊號。

結果
如下一圖所示，隨著時間推移，表面氫含量逐漸減少。
至於會減少到何種程度，尚需進一步追蹤實驗。

表面氫含量減少的原因，推測是因氧化作用進行，導致表面產生羥基。
下圖顯示了表面氫與羥基結合，進而釋放出水的過程。
正如預期，隨著時間推移，水的量逐漸增加。

2.氫離子注入試樣之數據

氫離子注入試樣 1E16 個/c㎡ 的範例

氫離子注入試樣 1E17 個/c㎡ 的範例

註：峰值出現的溫度取決於各種條件，因此不同裝置之間會產生些許差異。

3. 氫離子注入試樣的再現性數據

氫離子注入試樣 1E16 個/c㎡ 的範例

註：峰值出現的溫度取決於各種條件，因此不同裝置之間會產生些微差異。

4. 塗佈草酸鈣之氬離子注入試樣數據

鈣草酸塗層氬離子注入試樣之範例

註：峰值出現的溫度取決於各種條件，因此不同裝置間可能存在些微差異。

5. 經氫氣充填之低碳軟鋼板氫氣脫離特性（低溫升溫脫離）

⇒氫氣充填低碳軟鋼板的氫氣脫離特性　※將開啟PDF檔案(170kb)。