2004：论文、期刊、书籍

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004：会议摘要

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4.升温脱附分析法中H₂O模式系数的测定方法

• 常盤聡子*1, 西出利一*2, 橋詰昭夫*3, 宮林延良*3
• *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *1 日本大学工学部下一代工程技术研究中心, *2 日本大学工学部物质化学工程系,*3 電子科学(株)
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

2003：论文、期刊、书籍

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

• Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
• Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
• Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

• Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
• Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO₂ Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

• Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
• *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
• *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003：会议摘要

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
• Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

• Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3.电子注入层对有机EL/Si发光层的影响

• 三富豊, 高橋秀明, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, 宮林延良*
• 东京农工大学工学院, *電子科学(株)
• 第64届应用物理学会学术研讨会（2003年秋季）：31p-YL-11

4.利用H₂O煅烧法降低CVD-SiOC膜的煅烧损伤

• 山中通成，湯浅寛，大塚俊宏，坂森重則*
• 松下电器产业株式会社 导体公司 工艺开发中心、*瑞萨科技株式会社 生产技术本部 晶圆工艺技术统括部
• 第64届应用物理学会学术研讨会（2003年秋季）：31a-ZK-8，第669页

5.通过氮等离子体处理防止层间绝缘层中的吸附水

• 大塚俊宏，久都内知恵，今西貞之
• 松下电器产业株式会社 半导体公司 工艺开发中心
• 第64届应用物理学会学术研讨会（2003年秋季）：2p-YC-1，第706页

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

• Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
• Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002：论文、期刊、书籍

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

• Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
• *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

• S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
• *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4.基于升温脱附法的透明导电膜评估

• 澤田豊, 関成之, 青山剛志, 佐野真紀子*, 宮林延良*
• 东京工艺大学，*电子科学
• 透明导电膜的新进展，第15章，175（CMC出版）

5.利用氘提高超薄栅氧化层可靠性的验证及可靠性提升机制的解析

• 三谷祐一郎, 佐竹秀喜
• 东芝株式会社 研发中心
• 东芝评论，57(11)，34(2002)

6.对蓝色发光BaAl₂S₄:Eu薄膜热处理过程的评估

• 永野真一, 川西光弘, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学 理工学部 电子通信工程系
• 信学技报 TECHNICAL REPORT OF IEICE., EID2001-90, 49(2002)

7.利用氢气对钛氧化膜进行升温脱附的定量动态评估

• 山内康弘, 水野善之**, 田中彰博*, 本間禎一
• 千叶工业大学, *阿尔巴克·菲株式会社, **斯坦福大学斯坦福线性加速器中心
• 真空, 45(3), 265(2002)

8.等离子显示面板用MgO的脱气特性

• 植田康弘, 黒川博志
• 三菱电机株式会社 尖端技术综合研究所
• 真空,45(2),97(2002)

9.表面科学-化学反应的物理学-

• 村田好正
• 东京大学名誉教授
• 岩波讲座　物理的世界（岩波书店）

2002：会议摘要

1.基于升温脱附法的二氧化钛凝胶膜烧结过程分析

• 矢部貴行，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大学工学院，*電子科学
• 2002年日本陶瓷协会年会论文集（2002年3月）：2I21

^2.18Oを基于溶胶-凝胶法的二氧化钛凝胶膜烧结工艺

• 西出利一，矢部貴行，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大学工学院，*電子科学
• 2002年日本陶瓷协会年会演讲摘要集（2002年3月）：2I22

3.析出相对铜合金中氢扩散行为的影响

• 冨田英昭, 倉本繁*, 菅野幹宏**
• 东京大学研究生院, *丰田中研, **东京大学工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2002)；(1384)

4.基于升温脱附气体分析的薄膜气体传感器研究

• 高橋修, 原和裕
• 东京电机大学
• 第63届应用物理学会学术研讨会论文集（2002年秋季）：24p-K-2

5.利用TDS评估Alq3分子蒸镀过程——Alq3纯化的效果～

• 平井敦, 三富豊, 岩崎好孝, 蓮見真彦, 上野智雄, 黒岩紘一, ＊佐野真紀子, ＊宮林延良
• 东京农工大学，＊电子科学
• 第63届应用物理学会学术研讨会论文集（2002年秋季）：26p-ZH-1

6.蓝光BaAl₂S₄：Eu　EL元件的水定量分析

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学理工学部
• 第63届应用物理学会学术研讨会论文集（2002年秋季）：26p-ZD-14

2001：论文、期刊、书籍

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
• Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
• (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
• J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

• N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
• Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001：会议摘要

1.利用升温脱附分析对材料进行评估

• 宮林延良
• 電子科学
• 2001年度 神奈川县产学公交流研究发表会（2001年10月19日）

2.表面分析与TDS

• 佐野真紀子
• 電子科学
• 第4届实用表面分析研讨会（2001年11月9日）

3.基于溶胶-凝胶法的钛酸钾凝胶膜升温脱附法烧结工艺的分析

• 矢部貴行, 西出利一, ＊宮林延良, ＊佐野真紀子
• 日本大学　工学部, ＊电子科学
• 日本陶瓷协会 第14届秋季研讨会演讲预稿集：2B04

4.具有气体选择性吸附特性的无机-有机杂化材料的制备与评价

• 山田紀子, 久保祐治, 片山真吾
• 新日本制铁株式会社　尖端技术研究所
• 日本陶瓷协会 第14届秋季研讨会演讲预稿集：3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 日本材料学会50周年国际研讨会(2001.05)

6.Al₂O₃、ZrO₂的环境脆化及水、氢的存在状态分析

• 野口和彦, 高井健一, 久森紀之, 野末章
• 上智大学　理工学部
• 第129届日本金属学会秋季学术大会，No.100.

7.石英玻璃纤维的环境脆化及其水、氢的存在状态分析

• 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大学　理工学部
• 第129届日本金属学会秋季学术会议，No.99.

8.基于溶胶-凝胶法的铪薄膜升温脱附法烧结过程的研究

• 阿達金哉，西出利一，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大学工学院，*电子科学
• 2001年日本陶瓷协会年会演讲预稿集（2001年3月）：2K26

9.含18O的溶胶-凝胶法铪薄膜的烧结过程

• 西出利一，阿達金哉，*宮林延良，*佐野真紀子
• 日本大学工学部，*电子科学
• 2001年日本陶瓷协会年会演讲预稿集（2001年3月）：2K27

10.基于升温脱附法的ITO透明导电膜研究

• 関成之，澤田豊，*宮林延良，*佐野真紀子，**井出美江子
• 东京工艺大学，*电子科学，**横滨市工业技术支援中心
• 2001年日本陶瓷协会年会演讲预稿集（2001年3月）：2K28

11.硅化硅粉末的氧气行为（Ⅱ）)

• 別府義久，安藤元英，大司達樹*
• Synergy研，*名工研
• 2001年日本陶瓷协会年会演讲预稿集（2001年3月）：2A34

12.利用升温脱附法分析Al₂O₃和ZrO₂中水和氢的存在状态

• 野口和彦，太田雅人，高井健一，久森紀之，野末章
• 上智大学理工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(1002)

13.H₂O和H₂对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 山田大策，野田武，高井健一，野末章
• 上智大学理工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(1071)

14.镍钛合金的氢扩散速率与体内脆化

• 浅岡憲三，横山賢一
• 德岛大学·牙科
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(126)

15.fcc　Fe含量对Pd-Fe合金氢释放光谱的影响

• 山下博史，*原田修治
• 新潟大学研究生，*新潟大学工学部
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(194)

16.BCC型Ti-Al-Zr合金的氢诱导非晶化

• 宮島啓将，*石川和宏，*青木清
• 北见工业大学，*北见工业大学工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(211)

17.纳米结构石墨-氢体系的脱氢过程

• 松島智善，折茂慎一，藤井博信
• 广岛大学综合系
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(212)

18.Ti3Al基合金的储氢特性（化学计量比偏差的影响）

• 小島佑介，渡辺宗能，*田中一英
• 名古屋工业大学（研究生院），*名古屋工业大学·工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(214)

19.二元Ti-Al合金的吸氢与脱氢特性

• 橋邦彦，*石川和宏，**鈴木清策，*青木清
• 北见工业大学研究生院，*北见工业大学工学院，**新南威尔士大学，
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(215)

20.LaNi5的转移引入与钇陷阱

• 山本篤史郎，*乾晴行，*山口正治
• 京都大学工学院、*京都大学工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(218)

21.晶格缺陷对LaNi5中残留氢的影响

• 榊浩司，*竹下博之，*栗山信宏，**村上幸男，**水林博，***荒木秀樹，***白井泰治
• 大阪大学研究生院，*大学工学研究所，**筑波大学，***大阪大学工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(219)

22.采用机械合金化法制备的Ti-Zr-Ni系准晶与非晶粉末的氢吸附与脱附特性比较

• 高崎明人，*韓昶浩，**古谷吉男
• 芝浦工业大学·工学院，*芝浦工业大学（研究生院），**长崎大学教育学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(222)

23.(Mg，Yb)Ni₂合金的储氢性能

• 大津秀貴，神田和幸，*石川和宏，*青木清
• 北见工业大学研究生院，*北见工业大学工学院
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(230)

24.可在低温下进行吸附与脱附的高容量纳米复合镁薄膜

• 樋口浩一，梶岡秀，間島清和，本多正英，*山本研一，**折茂慎一，藤井博信
• 广岛县西部工业技术中心，*马自达株式会社，**广岛大学综合科学系
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(231)

25.通过氢吸附处理实现5083铝材的晶粒细化及其力学性能

• 船見国男，*佐野龍聖
• 千叶工业大学工学部，*千叶工业大学研究生
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(256)

26.阴极氢吸收导致SUS304不锈钢硬度增加

• 羽木秀樹
• 福井工业大学
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(264)

27.铁素体钢的氦-氘吸附特性

• 高尾康之，*岩切宏友，*吉田直亮
• 九州大学研究生院，*九州大学应力研究所
• 日本金属学会春季大会演讲摘要(2001)；(64)

28.Mg2Ni/LaNi5复合材料的组织及钇的吸附与脱附特性

• 奥村勇人，松井旭紘，山際真太郎，鎌土重晴，小島陽
• 长冈理工大学（工）
• 日本金属学会春季大会演讲摘要（2001）；(928)

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

• Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
• JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
• Materials Research Society Symposium Proceedings，Vol. 670，pp. K7.8.1-K7.8.6，2001

30.基于Ni催化剂的Mg掺杂GaN低温活化的机理

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 东京大学工学院，＊昭和电工　　
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：11p-Q-2

31.利用过渡金属催化层对Mg掺杂GaN进行低温活化

• 脇一太郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, ＊三木久幸, ＊奥山峰夫　
• 东京大学工学院，＊昭和电工　　
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：11p-Q-3

32.H+离子注入引起的硅分层（ESR评估）

• 佐々木志保, 和泉富雄, ＊原徹
• 东海大学工学院，＊法政大学工学院　
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：12a-V-7

33.碳纳米管释放气体的TDS分析

• 岡井誠, 宗吉恭彦, 矢口富雄, 林伸明
• 日立显示器集团
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：12a-ZT-4

34.自由基淋浴式化学气相沉积（Radical Shower-CVD）中的膜质控制

• 熊谷晃, 石橋啓次, 張宏, 田中雅彦, 北野尚武, 徐舸, 横川直明, 池本学
• 阿内尔巴　
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：13a-C-7

35.外延生长SrRuO₃薄膜特性的成膜方法依赖性

• 高橋健治, 及川貴弘, ＊斎藤啓介, 舟窪浩
• 东京工业大学物质创造系，＊日本飞利浦　
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：13a-ZR-8

36.利用升温脱附气体光谱法分析蓝色发光BaAl₂S₄:Eu薄膜的热处理过程

• 永野真一, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
• 明治大学　
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：14a-P14-12

37.基于流量调制操作CVD的TiN薄膜合成中氯脱附过程的分析

• 霜垣幸浩, 濱村浩孝
• 东京大学工学院　
• 第62届应用物理学会学术研讨会论文集（2001年秋季）：14a-X-3

38.利用TDS评估Alq3分子蒸镀过程及其应用

• *平井敦, *岩崎好孝，*逢見真彦，*，**上野智雄，*黒岩紘一，***佐野真紀子，***宮林延良
• *东京农工大学·工学院，**现任，新能源与工业技术综合开发机构（NEDO），***電子科学
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）)；29p-ZN-12

39.通过SiO₂薄膜注入H⁺离子的硅材料的分层现象（ESR评估）

• 佐々木志保，和泉富雄，*原徹
• 东海大学工学院，*法政大学工学院
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）；30a-P11-7

40.基于升温脱附分析法的环境监测传感器工作原理分析

• 横山達也，原和裕
• 东京电机大学
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）；30p-ZR-10

41.Mg掺杂GaN的低温活化（1）——O3、N2O中的热处理效果-

• 脇一太郎，藤岡洋，尾嶋正治，*三木久幸，*蕗澤朗
• 东京大学研究生院工学系，*昭和电工株式会社秩父研究室
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）；31p-K-2

42.真空升温条件下a-Ge:H薄膜的氢键状态与膜质评价（Ⅲ）

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 东京工艺大学研究生院·合作尖端技术研究中心
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）；28a-ZL-8

43.利用氢气对钛氧化膜进行升温脱附动力学评价

• 山内康弘，水野善之，*田中彰博，本間禎一
• 千叶工业大学，*阿尔巴克·菲株式会社
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）；29p-ZF-6

44.石英玻璃中氚气反弹释放

• 那須昭一，文雅司，*谷藤隆昭，*実川資郎
• 金泽工业大学，*日本原子能研究所
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）；29p-ZL-11

45.利用氢原子固相隧穿反应制备半导体薄膜的极低温反应装置的开发（Ⅱ）

• 佐藤哲也，鈴木克憲，高橋幸則，菱木繁臣，岡崎重光，中川清和，平岡賢三，*佐藤昇司，*宮田千治，**高松利行
• 山梨大学工学院，*宫通信工业，**SST
• 第48届应用物理学联合学术会议论文集（2001年3月　明治大学）；30a-ZT-7

2000：论文、期刊、书籍

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

• Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
• Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2.基于升温脱附分析法的分子污染评估及其对器件的影响

• 平下紀夫
• 冲电气工业株式会社超LSI研发中心
• Realize公司，半导体洁净化技术系列基础讲座[UCT-10]

3.恒温转变温度及拉丝加工对供析钢氢吸附特性的影响

• 高井健一, 野末章
• 上智大学理工学部机械工程系
• 日本金属学会杂志，64，669（2000）

4.DRAM用Ta₂O₅电容器形成技术

• 神山聡
• 日本电气株式会社 系统设备基础研究本部
• 应用物理,69,1067(2000)

5.等离子显示面板用MgO薄膜的蒸镀过程中的氧分压与气体吸附特性

• 沢田隆夫, 渡部勁二*, 福山敬二, 大平卓也, 衣川勝, 佐野耕**
• 三菱电机株式会社 尖端技术综合研究所, *埃瓦勒姆株式会社, **三菱电机株式会社 显示器设备统括事业部
• 真空,43(10),973(2000)

6.Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

• Noriko Yamada and Toru Takahashi
• Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000：会议摘要

1.不同结晶型AlOOH的加热相变

• 永島徹, 亀島欣一, 安盛敦雄, 岡田清, *佐野真紀子
• 东京工业大学研究生院理工学系，*电子科学
• 日本陶瓷协会 第13届秋季研讨会 摘要集

2.利用固体核磁共振对二氧化硅及其结构的分析

• 荒又幹夫，福岡宏文，藤岡一俊
• 信越化学群马事业所
• 第61届分析化学研讨会（2000年5月18日，长冈Lyric Hall）：2H14

3.Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
• The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4.基于升温脱附法的HfO₂薄膜烧结过程研究

• 阿達金哉, 西出利一, 宮林延良*, 佐野真紀子*
• 日本大学工学院，电子科学*
• 日本陶瓷协会东北北海道支部研究发表会 第20届基础科学部会东北北海道地区恳谈会（2000年秋季）：1P19

5.基于升温脱附法的HfO₂薄膜分析

• 佐野真紀子, 宮林延良, 阿達金哉*, 西出利一*,
• 电子科学, *日本大学工学院
• 第4届实用表面分析研讨会（2000年12月8日）：P1-10

6.H₂O和H₂对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 野田武, 山田大策, 高井健一, 野末章
• 上智大学理工学院
• 日本金属学会秋季大会演讲摘要(2000) 第509页

7.水和氢对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 高井健一, 野田武, 野末章
• 上智大学 理工学院
• (社)日本钢铁协会 材料组织与特性分会 科学技术振兴调整费综合研究 第5次成果报告会研讨会 概要集第7页（2000年秋季）

8.H₂O和H₂对石英玻璃纤维环境脆化的影响

• 高井健一, 野田武, 河村真次, 野末章
• 上智大学 理工学院
• 第一届微材料研讨会论文集第43页（2000年秋季）

9.低介电常数多孔膜经ICP氧等离子体照射后的膜质变化

• 藤内篤, 荒尾弘樹, 江上美紀, 中島昭, 近藤英一*, 浅野種正*
• 触媒化成工业株式会社精细研究所、九州工业大学微型化综合技术中心*
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：4a-P4-18

10.升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法1 UC标准规范

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(东丽研究中心), 嶋崎綾子(东芝), 神保智子(日立), 西塚勝(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱电机), 松永利之(松下技术研究), 森田瑞穂(大阪大学)
• UCS 半导体基础技术研究会 标准化委员会 设备分会
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：4p-ZC-10

11.升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法 2 UC标准规范

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(东丽研究中心), 嶋崎綾子(东芝), 神保智子(日立), 西塚勝(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱电机), 松永利之(松下技术研究), 森田瑞穂(大阪大学)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-11

12.升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法3 UC标准规范

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(东丽研究中心), 嶋崎綾子(东芝), 神保智子(日立), 西塚勝(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱电机), 松永利之(松下技术研究), 森田瑞穂(大阪大学)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-12

13升温脱附分析法中硅基板温度的校准方法 4 UC标准规范

• 平下紀夫(沖電気), 籔本周邦(NTT-AT), 奥村治樹(东丽研究中心), 嶋崎綾子(东芝), 神保智子(日立), 西塚勝(东芝微电子), 西山岩男(NEC), 松浦正純(三菱电机), 松永利之(松下技术研究), 森田瑞穂(大阪大学)
• UCS 半導体基盤技術研究会 標準化委員会 装置部会
• 第61回応用物理学合学術講演会予稿集(2000秋)：4p-ZC-13

14.高选择性氧化膜刻蚀中的表面反应层分析

• 小澤信夫, 辰巳哲也, 石川健治, 栗原一彰, 関根誠
• ASET 等离子体研究所
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：6a-ZF-8

15.通过薄SiO₂膜注入高浓度H⁺离子的硅的退火特性

• 佐々木志保, 宇治川浩章, Choudhury Elshad Ali, 和泉富雄, 原徹*
• 东海大学工学院、法政大学工学院*
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：6p-ZD-17

16.W多晶硅薄膜的蚀刻特性

• 福永裕之, 長友美樹, 斎藤秀一
• 东芝株式会社 生产技术中心
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：7a-W-8

17.晶圆表面吸附有机物的吸附与脱附行为2

• 白水好美, 高田俊和, 駒田香織*
• 日本电气株式会社、NEC软件株式会社*
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：3p-ZC-7

18.利用HMDSO的等离子体CVD法制备低介电常数薄膜（1）——采用N2O作为氧化剂－

• 山本陽一, 猪鹿倉博志, 石丸智美, 小竹勇一郎, 大河原昭司, 塩谷喜美*, 大平浩一*, 前田和夫*
• 佳能销售株式会社、半导体工艺研究所株式会社*
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：4a-P4-21

19.利用NH3/SiF4系a-SiNx:F在极低温下形成栅极氮化膜(II)

• 大田裕之, 堀勝, 後藤俊夫
• 名古屋大学・工
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：5a-ZD-4

20.Si(100)2×1晶面上的铯氧化物的TDS、UPS

• 石躍晶彦, 藤井孝司, 豊島誠也, 浦野俊夫, 本郷昭三
• 神户大学工学院
• 第61届应用物理学联合学术研讨会论文集（2000年秋季）：6a-S-1

21.氟化醇在溶胶-凝胶法制备的HfO₂薄膜上的吸附

• 阿達金哉，西出利一，渡部修*，高瀬つぎ子*，宮林延良**
• 日本大学工学部，福岛县高科技广场*，电子科学株式会社**
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29a-ZG-3

22.采用低介电常数绝缘层的达马辛布线结构中电容的温度依赖性

• 東和幸，松永範昭，中田鎮平，柴田英毅
• 东芝半导体株式会社微电子技术研究所
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：第29页-YA-11

23.各种湿法工艺处理对有机聚合物系低介电常数绝缘膜PAE的影响

• 北沢良幸，友久伸悟，西岡康隆，保田直紀，村中誠志*，後藤欣哉*，松浦正純*，豊田良彦，大森達夫
• 三菱电机株式会社尖端技术综合研究所，ULSI技术开发中心*
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：第29页-YA-16

24.通过等离子体聚合法降低BCB膜的介电常数

• 多田宗弘，川原潤，林喜宏
• NEC硅系统研究所
• 第47届应用物理学联合会议论文集（2000年春季）：第29页-YA-8

25.Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• FRS RIKEN, Saitama Univ.*
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：第29页-YA-8

26.关于氟化烷硫醇自组装单分子膜吸附与脱附过程的研究

• 鈴木章弘1，奥出由利子1，中村史夫2，原正彦12，玉田薫3，福島均4，T.R.Lee5
• 东京工业大学综合理工学院1，理化学研究所2，物质科学研究所3，精工爱普生4，休斯顿大学5
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29p-YA-8

27.Si晶圆表面水分及有机物吸附状态的分析

• 森本敏弘，上村賢一
• 新日本製鐵(株)先端技術研究所
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：28p-YH-7

28.低介电常数SOG中官能基的等离子体反应性

• 近藤英一，弓井俊哉，浅野種正，荒尾弘樹*，中島昭*
• 九州工业大学微型化综合技术中心、触媒化成工业株式会社、Fine研究所*
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29a-YA-10

29.钛表面研磨对气体释放特性的影响

• 岡田隆弘，田中彰博，水野善之，本間禎一
• 千叶工业大学、阿尔巴克·菲株式会社*、日本巴尔卡工业株式会社**
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29a-ZG-1

30.Ta2O5/TiNx/Si(x>1)退火时从TiN层释放出的过量氮

• N.Yasuda*,***，H.C.Lu*，E.Garfunnkel*，T.Gustafsson*，J.P.Chang**，G.Alers**
• Rutgers University*，Lucent Technologies**，On leave from Toshida Corporation***
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29a-ZG-3

31.利用升温脱附法测定非晶硅膜中氢的含量

• 稲吉さかえ，斉藤一也，橋本征典*，浅利伸*
• 日本真空技术株式会社筑波超材料研究所、同千叶超材料研究所*
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29p-ZH-1

32.真空升温条件下a-Ge:H薄膜的氢键状态及薄膜质量评估

• 井関克登，小林信一，青木彪
• 东京工艺大学研究生院·合作尖端技术研究中心
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29p-ZH-6

33.利用辉光放电法制备的a-SiC:H薄膜结构与表面观察（II）

• 本橋光也，曽江久美，本間和明
• 东京电机大学工学院
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：29p-ZH-9

34.水通过在素Si(111)表面上选择性脱氢形成悬键链

• 井上浩介，坂上弘之，新宮原正三，高萩隆行
• 广岛大学工学部
• 第47届应用物理学联合研讨会论文集（2000年春季）：30p-YH-11

35.固态核磁共振在硅系化合物状态分析中的应用

• 荒又幹夫
• 信越化学群马事业所
• 第26届固体核磁共振·材料研究会（2000年5月8日，京都平安会馆）

36.基于升温脱附法的HfO₂薄膜烧结工艺及表面状态研究

• 阿達金哉, 西出利一, *宮林延良, *佐野真紀子
• 日本大学工学院，电子科学
• 第36届热分析研讨会演讲摘要集，90(2000年秋季)

37.基于升温脱附法对CeO₂薄膜表面状态的研究

• 西出利一, 常磐聡子, *宮林延良, *佐野真紀子, **佐藤誓
• 日本大学工学院, *电子科学, **日产ARC
• 第36届热分析研讨会演讲摘要集,92(2000年秋季)

38.利用TDS对金属氧化物薄膜进行表面分析

• 西出利一
• 日本大学 工学部
• 第8届TMS研究会论文集第4页（2000年4月28日）