1.氢终止硅的时效变化

目的·实验
本实验旨在探究经HF处理使表面氢终止的硅晶圆随时间推移的变化规律。通过脱附表面吸附的氢原子进行评估。
实验与评估按以下步骤进行：
1. 准备实验用氢终止硅芯片。
2. 样品处理后，对经过2天、7天、14天、28天的硅芯片进行升温脱附实验（升温速率=60K/秒）。
3. 比较脱附氢的脱附信号。

结果
如图所示，表面氢含量随时间推移逐渐减少。
具体减少程度尚需进一步追踪实验验证。

表面氢减少的原因，推测是氧化作用加剧导致表面生成羟基所致。
下图展示了表面氢与羟基结合后脱离形成水的过程。
如预期所示，随时间推移水量持续增加。

2.氢离子注入样品数据

氢离子注入样品 1E16个/c㎡ 示例

氢离子注入样品 1E17个/c㎡ 的示例

注：峰值出现温度因各种条件而异，不同设备可能存在些许差异。

3.氢离子注入样品的重现性数据

氢离子注入样品 1E16个/c㎡ 示例

注：峰值出现温度受多种条件影响，不同设备可能存在差异。

4. 涂覆草酸钙氩离子注入样品数据

草酸钙涂覆氩离子注入样品示例

注：峰值出现温度受多种条件影响，不同设备可能存在差异。

5.氢充填低碳软钢板的氢脱附特性（低温升温脱附）

⇒氢充填低碳软钢板的氢脱附特性 ※将打开PDF文件(170kb)。