1.含氢端基硅的随时间变化

目的与实验
我们研究了经过HF处理、表面被氢终止的硅片随时间推移会发生怎样的变化。 通过使吸附在表面的氢脱离，进行了评估。
我们按照以下步骤进行了实验和评估。
1.准备用于实验的氢终止Si芯片。
2.对样品进行处理后，对经过2天、7天、14天和28天的Si芯片进行升温脱附实验（升温速率=60K/sec）。
3.关于脱离的氢，我们将比较其脱离信号。

结果
如下图所示，随着时间的推移，表面的氢会逐渐减少。
具体会减少到什么程度，还需要进一步的追踪实验。

表面氢含量减少的原因，据推测是由于氧化反应加剧，导致表面产生了羟基。
下图展示了表面上的氢原子与羟基结合并脱去水分子的情况。
正如预料的那样，随着时间的推移，水量正在增加。

2.氢离子注入样品的数据

氢离子注入样品 1E16个/cm² 的示例

氢离子注入样品 1E17个/cm² 的示例

注：峰值出现的温度取决于各种条件，因此不同设备之间会存在些许差异。

3.氢离子注入样品的重复性数据

氢离子注入样品 1E16个/cm² 的示例

注：峰值出现的温度取决于各种条件，因此不同设备之间会存在些许差异。

4.施用草酸钙并经氩离子注入处理的样品数据

施加草酸钙并进行氩离子注入的样品示例

注：峰值出现的温度取决于各种条件，因此不同设备之间会存在些许差异。

5.加氢低碳软钢板的水素脱附特性（低温升温脱附）

⇒加氢低碳软钢板的水素脱附特性　※将打开PDF文件（170kb）。