기술 자료／논문・학회 발표／1992〜1999｜ESCO, Ltd.

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기술 자료／논문・학회 발표／1992〜1999

1992〜1999

논문·잡지·책

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

Norio Hirashita
VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

Norio Hirashita
VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999：학회 초록

1. 이차원 상관 분광법에 의한 승온 탈리 분석 데이터의 해석

스기타 기오, 아베 에이지, 미야바야시 노부요시*
도요하시 기술과학대학, *전자과학
제22회 정보화학토론회 강연요지집(1999가을): JP12

2. 상온 탈리법을 이용한 알칸티올 SAM 막의 흡착 상태에 관한 연구

아라키 노부유키*, 노재근*, 하라 마사히코*,**, W. 크놀*
*리켄 프론티어, **도쿄공대 총리공학부
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 2p-Q-8

3. Au(111) 상의 알칸티올 자가조립 단일층의 흡착 상태

J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
FRP RIKEN(리켄 프론티어)
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 2p-Q-9

4. 유도 결합 플라즈마 CVD로 제작한 SiO₂ 막의 가열 탈리 가스 분석

服部哲也，瀬村滋，福田智恵，赤坂伸宏
住友電工(株)
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 3p-H-1

5. SiN/SiO₂ 막 내 수소의 열적 거동

가와시마 요시야, 류 자원, 가와노 히데오, 히라타 타케시*
NEC 디바이스 평가 기술 연구소, *NEC 반도체 생산 기술 본부
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 3p-ZT-16

6. 무기 CVD-TiN 막 내 Cl에 의한 Al 배선 부식의 메커니즘

히라사와 겐사이, 나카무라 요시타카, 타마루 타케시, 세키구치 토시히로, 후쿠다 타쿠야
(주)히타치 제작소 디바이스 개발 센터
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 3a-ZN-2

7. Co/a-Si:H/c-Si에서의 실리사이드화 과정

쿠사무라 카즈후미, 츠치야 마사히코, 요시다 요코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
도쿄전기대학 공학부
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 3a-ZN-6

8. APIMS-TDS를 이용한 Si 웨이퍼 표면 흡착 수분 분석(IV)

모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
신일본제철(주) 첨단기술연구소
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 3a-ZQ-9

9. 진공 중 S 종단 처리된 GaAs(001) 표면의 가열 탈리 과정 분석

쓰카모토 시로, 스기야마 무네히로*, 시모다 마사히코, 마에야마 사토시*, 와타나베 요시오*, 오노 타카오, 오구치 노부유키
금재기연, *NTT 기초연구소
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 4a-ZK-3

10. 고플루언스 엑시머 레이저 조사에 의한 비정질 실리콘 막의 탈수소 거동

다카하시 미치코, 사이토 마사카즈, 스즈키 겐키치
히타치 제작소 디스플레이 그룹
제60회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1999가을): 4a-ZS-4

11. PDP용 MgO 막 증착 시 산소 분압과 가스 흡착 특성

사와다 다카오, 와타나베 쿄지, 후쿠야마 케이지, 오히라 타쿠야, 기누카와 마사루
미쓰비시전기 첨단종합연구소
제46회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1999년 봄): 28p-M-4

12. 승온 탈리 스펙트럼에서 시료 끝 저온 부분의 보정

오다 고지
(주)히타치 제작소 기계 연구소
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 30p-R-7

13. 디플루오로파라자일렌을 이용한 유기계 저유전율 막의 특성

무로야마 마사카즈, 모리야마 이치로
소니(주) S.C. 공정개발부
제46회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집 (1999년 봄): 30p-ZQ-14

14. 불소화 비정질 탄소막의 층간 절연막 적합 공정

오세키 가츠나리, 아리가 미치오
애플라이드 머티리얼즈 재팬(주)
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 30p-ZQ-19

15. 불소화 비정질 탄소막의 층간막 적용 평가

마쓰이 다카유키, 키시모토 코지, 마쓰바라 요시히사, 이구치 마나부, 호리우치 타다히코, 엔도 카즈히코*, 타츠미 토오루*, 고미 히데키
일본전기(주) ULSI 디바이스 개발연구소, *실리콘 시스템 연구소
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 30p-ZQ-20

16. SiO₂/Si에서의 수소 거동 분석

류 자원, 가와시마 요시야, 가와노 히데오, 하마다 코지*, 하마지마 토모히로*
NEC 디바 평가 연구소, NEC UL 디바 개발 연구소*
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999년 봄): 29p-ZS-14

17. 승온 탈리법을 이용한 비대칭 디알킬 디설파이드 자기조립 단분자막의 흡착 상태에 관한 연구

아라키 노부*，카메이 코지**，후지타 카츠히코*，하라 마사히코*,**，W. 크놀*
리켄 프론티어*, 동경공대 총이공**
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999년 봄): 30p-X-17

18. 비대칭 디알킬 디설파이드를 이용한 자기조립 단분자막의 성장 과정에 관한 연구

카메이 코지*, 후지타 카츠히코**, 아라키 노부유키**, 하라 마사히코*,**, 스즈메베 히로유키**, W. 크놀**
도쿄 공대 종합이공*，리켄 프론티어**
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄): 30p-X-18

19. AU(111) 표면에서 비대칭 디설파이드 SAM의 파괴적 흡착 및 상분리를 스캐닝 터널링 현미경으로 연구

J.NOH, M.HARA, H.SASABE 및 W.KNOLL
FRP, RIKEN
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999년 봄): 30p-X-19

20. 수소 이온 주입 기판 박리법에서의 웨이퍼 직접 접합 공정 검토

야마우치 쇼이치, 마츠이 마사키, 오오시마 히사즈미
덴소 기초연구소
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999년 봄): 31a-ZP-2

21. 수소 종단 Si 표면에서의 습식 처리 시 종단 수소의 화학 반응 거동

나가타 요이치, 후지와라 신야, 사카가미 히로유키, 신구하라 쇼조, 타카하기 타카유키
히로시마 대학・공학부
제46회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1999년 봄): 28a-ZT-4

22. Si(100) 표면 상 P의 가열 탈리 스펙트럼 측정

히로세 후미히코, 사카모토 히토시
미쓰비시 중공업 기반 연구소
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 28p-ZT-11

23. ECR 플라즈마 CVD 법으로 제작한 경질 탄소막의 열분해 거동

마루야마 카즈노리, 소타니 토모코, 사토 히데키
나가오카 기술과학대학 공학부
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 29a-M-2

24. 진공 표면에서의 수소 거동 - 서론

츠카하라 소노코
일본진공기술 츠쿠바초자이켄
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 29a-ZH-1

25. 강철 내 수소의 존재 상태와 격자 결함

남운도현
와세다대학 이공학부 물질개발공학과
제46회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집 (1999년 봄): 29a-ZH-2

26. 다이아몬드 표면에서의 수소 거동

가와하라다 히로시
와세다대학 이공학부, CREST
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 29a-ZH-6

27. APIMS-TDS를 이용한 Si 웨이퍼 표면 흡착 수분 분석(III)

모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
신일본제철(주) 첨단기술연구소
제46회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1999년 봄): 29a-ZT-4

28.8인치 웨이퍼용 승온 탈리 측정 장치를 이용한 SiO₂ 막 평가

이나요시 사카에, 츠카하라 소노코, 사이토 카즈야, 호시노 요이치*, 하라 야스히로*
일본진공기술(주) 츠쿠바초자이켄, *일본진공기술(주) 초고(사)
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 29a-ZT-5

29. 다이아몬드 C(111) 상에서의 NO 레이저 광 자극 탈리

야마다 타로*, 세키 모토**, 장 동영***
*와세다대 재료연구소, **IBM 알마덴 연구소, ***대만 중과학원 원자분자연구소
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 30a-L-3

30. 티타늄의 평활 가공에 의한 표면 산화층과 가스 방출 특성

이시카와 가즈마사, 미즈노 요시유키, 오카다 타카히로, 혼마 사다카즈
치바 공업대학
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 30p-R-2

31. 실라잔 결합을 갖는 저유전율 SOG 막의 특성

타시로 유지, 사쿠라이 타카아키, 시미즈 야스오
동연(주)
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999 봄): 30p-ZQ-6

32. 에틸렌기를 함유한 실리카 막의 XeF2 어닐링

佐野泰之*,菅原聡，宇佐美浩一，服部健雄*,松村正清
도쿄공업대학 공학부, *무사시공업대학 공학부
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 30p-ZQ-7

33. Ni/a-Si:H 적층막에서의 계면 반응과 실리사이드화 과정(II)

요시다 요코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
도쿄 전기 대학 공학부
제46회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집 (1999년 봄): 31a-ZQ-6

34. SIMS 및 TDS를 이용한 a-Si:H 내 H 농도 평가

미카미 아키라, 스즈키 타카유키
산요전기(주) 뉴머티리얼 연구소
Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998: 논문·잡지·책

1. TG-MS를 이용한 세라믹 박막 및 분말의 형성 과정 규명

Yutaka Sawada, Toshikazu Nishide*, Junichi Matsushita**
Tokyo Polytechnic University, Faculty of Engineering, *Nihon University, College of Engineering, **Tokai University, Faculty of Engineering
J. Mass Spectrom. Soc. Jpn, 46, 289 (1998)

2. Application of TPD-MS (Temperature-Programmed Desorption or Decomposition Mass Spectrometry) in Materials Research

Hitoshi Asahina, Kinji Taniguchi
Mitsubishi Chemical Corporation, Tsukuba Research Laboratory
J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6. 냉간 연신 가공한 순철 및 공석강의 상승 온도 탈리법에 의한 수소 저장 특성 평가

고이 겐이치*1, 야마우치 고로*1, 나카무라 마리코*2, 나구모 미치히코*2
*1)일본전신전화주식회사 기술협력센터 *2)와세다대학 이공학부
일본금속학회지, 62, 3, 267-275(1998)

1998: 학회 초록

6. 냉간 연신 가공한 순철 및 공석강의 상승 온도 탈리법에 의한 수소 저장 특성 평가

데라오카 야스츠요시, 다카하시 모토노부, 세토구치 유카코, 아사나가 시게유키*, 야스타케 아키노리*, 이즈미 준*, 모리구치 이사무, 시카가와 슈이치
나가사키 공대, *미쓰비시 중공업
제81회 촉매토론회 토론회A 예고집,113(1998.3)：2P55

2. 이산화티타늄 분말 표면에 대한 NO 흡착 및 가열 탈리

왕 양, 유자와 야스노리
나라교육대학
제81회 촉매토론회 토론회A 예고집,115(1998.3)：2P57

3. NH₃-TPD 스펙트럼으로부터 얻어진 흡착 엔탈피와 탈리 활성화 에너지 분포의 비교

마스다 다카오, 후지카타 쓰네히로, 하시모토 켄지
교토대학 대학원 공학연구과
제81회 촉매토론회 토론회 A 예고집, 24(1998.3)：1P24

4. 실리카 상에서의 광올레핀 메타세시스 반응의 활성 종

다나카 요시히로, 마츠오 시게노부, 타케나카 타케시, 요시다 히사오*, 후나비키 타쿠조, 요시다 고히로
교토대 대학원 공학연구과, *나고야대 대학원 공학연구과
제81회 촉매토론회 토론회A 예고집,34(1998.3)：1P34

5. 스트론튬 티타네이트계 페로브스카이트형 산화물의 NO 직접 분해 활성

요코이 야스하루, 우치다 히로시
도쿄 가스 기초 연구소
제81회 촉매 토론회 토론회 A 예고집, 40(1998.3)：1P40

6. Pt/HZSM-5를 이용한 티오펜의 수소화 탈황 반응

구로사카 다다히로, 스기오카 마사토시
무로란 공대
제81회 촉매토론회 토론회A 예고집,51(1998.3)：1P51

7. 티타니아 지지 제올라이트 촉매를 이용한 NOx의 환원

이와토 히로시, 고난 히로시, 하시모토 케이지*, 케이라 요시야
긴쿠다이 공과대학, *오사카 시립 공업 연구소
제81회 촉매 토론회 토론회 A 예고집, 53(1998.3): 1P53

8. 구리 이온 교환 제올라이트 상의 NOx형 흡착종의 분해 기전

오노 히로노부, 오쿠무라 코헤이, 시모카와베 마사히데, 다케자와 노부츠네
홋카이도대학 대학원 공학연구과
제82회 촉매토론회 A강연예고집,131(1998.9)：3D425

9. CH4-SCR에 활성인 Pd 제올라이트 내 Pd 종의 검토

오구라 겐, 시카게 신, 키쿠치 에이이치
早大理工
제82회 촉매토론회 A강연예고집,132(1998.9)：3D426

10. 은알루미나 촉매 상에서의 NOx 선택적 환원 반응에 대한 티타늄 처리 효과

고토 이치로, 야마구치 마코토, 왕 정밍, 쿠마가이 미키로
(재)산업창조연구회
제82회 촉매토론회 A강연예고집, 134(1998.9)：3D428

11. 펄스법을 이용한 지지체 Ph 촉매 상에서의 N₂O 분해 반응

아오야기 켄지, 유자키 고이치, 카미즈카 히로시, 이토 신이치, 쿠니모리 키미오
筑波大物資工
제82회 촉매토론회 A강연예고집,147(1998.9)：4D414

12. 고체용액 Co-MgO 촉매 상에서의 N₂O 분해 반응에서의 O₂ 탈리 메커니즘

오시하라 겐조, 아키시카 켄이치*
야마구치 도쿄 이과대 기초공학부, *도쿄 공대 총합이공학부
제82회 촉매토론회 A강연예고집, 148(1998.9): 4D415

13. 스트론튬 티타네이트 분말에 대한 NO 및 CO 흡착·승온 탈리

에도 노부코, 이나오 카나코, 도쿠루 시호, 야나기사와 야스노리
나라교육대학
제82회 촉매토론회 A강연예고집,2(1998.9)：1P202

14. Ni(110) 위에 흡착된 카르복실산의 분해 반응

야마가타 케이, 쿠보타 준, 노무라 준코, 히로세 치아키, 도모에 카즈나리, 와카바야시 후미타카*
동경공대 자원연구소, *국립과학박물관
제82회 촉매토론회 A강연예고집,207(1998.9)：3D601

15. 금운모 촉매를 이용한 알코올의 탈수소 반응

하시모토 케이지, 도카이 나오지
오사카 시립 공업 연구소
제82회 촉매 토론회 A 강연 예고집, 21(1998.9): 1P222

16.Al, Zn, Cd 염을 첨가한 FSM-16을 촉매로 한 기상 베크만 이성질화 반응 - 촉매의 산성·염기성, 활성 저하 및 생성물 선택성 -

마사미치 다이스케, 나카지마 고
신슈대 공학부
제82회 촉매토론회 A강연예고집,22(1998.9)：1P223

17. 다양한 금속 산화물 상의 산화 텅스텐 단일층 촉매의 표면 구조와 산성 특성

내토 노부히로, 가타다 나오노부, 니와 미키
돗토리 공대
제82회 촉매 토론회 A강연 예고집,233(1998.9)：4D603

18.Co₂(CO)₈를 이용한 Co/Al₂O₃ 고정화 촉매 표면의 복합 설계 및 촉매 특성 연구

고무라 고케이, 시토우 타카후미, 아사쿠라 키요타카, 이와사와 야스히로
동경대 대학원 이학연구과
제82회 촉매토론회 A강연예고집,237(1998.9)：4D607

19. Ga-MCM-41의 구조와 산성 특성

오쿠무라 카즈, 니시가키 코이치, 니와 미키
돗토리대 공대
제82회 촉매토론회 A강연예고집,254(1998.9)：3D702

20. 필러 도입량이 다른 알루미나 가교 마이카의 조정 및 그 산성 특성

키타바야시 시게아키, 카마타 유키코, 신도 타카요시, 오자와 이즈미타로
아키타 대학 공학부
제82회 촉매 토론회 A강연 예고집, 262(1998.9)：3D710

21. SO₄(2⁻)-ZrO₂ 촉매를 이용한 n-부탄 이성질화. 비활성화 과정 연구 및 코크 침적물 특성 분석

C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
자원환경연구소(일본), *INCAPE(아르헨티나)
제82회 촉매토론회 A강연예고집, 273(1998.9)：3D721

22. 수증기 처리 암모니아 승온 탈리법을 이용한 페로실리케이트의 산성 측정

미야모토 데츠오, 카타다 나오노부, 니와 미키, 마쓰모토 아키히코*, 츠츠미 카즈오*
돗토리대 공대, *도요하시 공과대
제82회 촉매 토론회 A강연 예고집,298(1998.9)：4D721

23. 페로브스카이트형 산화물 촉매의 NO 직접 분해 활성과 전자 상태의 상관관계

요코이 야스하루, 야스다 이사무, 우치다 히로시, *오카다 오사무, **나카무라 야스히사, ***카와사키 하루츠구
도쿄 가스, *오사카 가스, **토호 가스, ***서부 가스
제82회 촉매토론회 A강연예고집,323(1998.9)：3D824

24. 지르코니아 지지 황산염 단일층 고체 초강산 촉매의 프리델-크라프츠 반응에 대한 활성

안신 나오코, 엔도 준이치, 가타다 나오노부, 니와 미키
돗토리 공업대학
제82회 촉매토론회 A강연예고집,343(1998.9)：4D819

25. CFC 분해용 인산 알루미늄계 촉매의 개발(5)

니노미야 마이코, 와카마츠 히로노리, 니시구치 히로야스, 이시하라 타츠미, 타키다 유스쿠
오이타대 공대
제82회 촉매토론회 A강연예고집,35(1998.9)：2P205

26. V, W 치환형 12-몰리브덴산 촉매의 환원

모리타 토요코, 우에다 와타루*, 아키시카 켄이치
동경공대 총리공학부, *야마구치 동리대 기초공학부
제82회 촉매토론회 A강연예고집,5(1998.9)：1P205

27. 흡착된 NO₂/금속 산화물 상에서의 프로펜 부분 산화 반응

우에다 아츠시, 고바야시 데츠히코
공업기술연구소
제82회 촉매토론회 A강연예고집, 71(1998.9): 3D317

28. Pd 복합 증착 박막을 이용한 메탄올 분해 반응 연구

사사키 모토, 이토 다케히코, 하마다 히데아키
공기원 물자연
제82회 촉매토론회 A강연예고집,9(1998.9)：1P209

29. 고정화 Co(II)/Al₂O₃ 촉매 상에서의 NO-CO 반응에 관한 새로운 메커니즘

야마구치 유토모, 시토 타카후미, 아사쿠라 키요타카, 이와사와 야스히로
도쿄대학 대학원 이학계
제82회 촉매토론회 B강연예고집,360(1998.9)：1D105

30. 산화 주석 지지 산화 몰리브덴 박막 상에서 생성되는 고체 산점의 메탄올 산화 반응에서의 촉매 작용

니와 미키, 이가라시 준야, 카타다 나오노부
돗토리대학 공학부
제82회 촉매토론회 B강연예고집,442(1998.9)：1D206

31. 이산화탄소에 의한 메탄으로부터의 에탄과 에틸렌 생성 반응

왕야, 다카하시 요시모토, 오오츠카 야스오
도호쿠대학 반응화학연구소
제82회 촉매토론회 B강연예고집, 458(1998.9): 1D211

32. 단독 산화물 지지 Pd 촉매를 이용한 저온 메탄 연소

Widjaja Hardiyanto, 세키자와 요시후미, 에구치 고이치
규슈대학 대학원 종합이공학연구과
제82회 촉매토론회 B강연예고집,466(1998.9)：1D213

33. 고체 산으로서의 FSM-16의 촉매 특성

야마모토 타카시, 다나카 요시히로, 후나비키 타쿠조, 요시다 고히로
교토대학 대학원 공학연구과
제82회 촉매토론회 B강연예고집,494(1998.9)：2D207

34. 미결정 실리콘에서의 입계 결함의 이방성

근도도오, 후카와 신, 곽리휘, 마츠다 아키히사
전기총합연구소·박막 실리콘계 태양전지 슈퍼랩
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 15a-ZC-10

35. 산화막 에칭에서의 CH2F2 첨가 효과

신촌 타다스, 오미야 가요코, 가네다 나오야*, 마쓰시타 타카야*
(주)도시바 생산기술연구소, *(주)도시바 반도체생산기술추진센터
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 15a-C-5

36. 형광막의 흡착 가스 특성에 대한 대기 중 및 진공 중 가열의 영향

야마네 미유키, 히라사와 시게미*, 오세키 에츠히로**
(주)히타치 제작소 기계연구소, *(주)히타치 제작소 가전·정보미디어사업본부, **히타치 디바이스 엔지니어링(주)
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 15p-M-5

37. Ni/a-Si:H 적층막에서의 계면 반응과 실리사이드화 과정(I)

요시다 요코, 모기 아즈사, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
도쿄 전기 대학 공학부
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 15p-ZL-16

38. 다이아몬드 C(001) 표면에서의 트리-n-부틸포스핀 표면 반응 기질 과정

니시모리 토시히코, 사카모토 히토시, 타카쿠와 유지*,**
미쓰비시 중공업・기반연구, *도호쿠대・과학연구, **과학기술단 사키가케
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 16p-N-6

39. 수소 처리된 게르마늄 첨가 실리콘 이산화물 유리에서의 수소 방출 온도 의존성

카사하라 토시아키, 후지마키 마코토, 오오키 요시미치, 가토 마키시게*, 모리시타 유이치*
와세다 대학, *쇼와 전선
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 16p-P13-7

40. 반도체 층간막 공정 개발을 위한 흡습 특성 평가법 개발

오오타케 아츠시, 코바야시 카네야, 이토 후미토시*, 다카마쓰 아키라*
(주)히타치 제작소 히타치 연구소, *(주)히타치 제작소 반도체 사업부
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 17a-ZG-1

41. 저유전율·저흡습성 유기 SOG 막의 제작

야마다 노리코, 다카하시 토오루
신일철(주) 첨단기술연구소
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 17p-ZG-3

42. 저유전율 다공성 SOG 막의 특성

아라오 히로키, 후지우치 아츠시, 에가미 미키, 무라구치 료, 이노우에 카즈아키, 나카지마 아키라, 코마츠 미치로
촉매화성공업(주)
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 17p-ZG-4

43. 고농도 페닐기 함유 실리카 막의 평가

佐野泰之*, 宇佐美浩一, 菅原聡, 服部建雄*, 마쓰무라 마사키요
도쿄 공업대학 공학부, *무사시 공업대학 공학부
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 17p-ZG-9

43. 고농도 페닐기 함유 실리카 막의 평가

나카다 조지, 야부 쇼즈쿠니*
NTT 기초연구소, *NTT-AT
제59회 응용물리학회 학술강연회 강연예고집(1998가을): 18a-ZL-4

45. 극미세 홀 내의 표면 반응

카네모리 준, 이케가미 나오키, 히라시타 노리오
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구개발센터
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 29a-ZR-2

46. 전 방향족 폴리에테르계 고분자 층간 절연막

키타 코헤이
아사히카세이 공업 기초연구소
제45회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1998년 봄): 30p-M-4

47. 실리콘 웨이퍼 표면의 유기물 흡착·탈리 거동

사가 코이치로, 하토리 타케시
소니(주) 반도체 컴퍼니 초LSi연구소
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 28p-PB-6

48. APIMS-TDS를 이용한 웨이퍼 표면 흡착 수분 분석

모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
신일본제철(주) 첨단기술연구소
제45회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1998년 봄): 28p-PB-7

49. 웨이퍼 표면 흡착 유기물의 흡착 및 탈착 거동

시라미즈 요시미, 다나카 츠토무, 키타지마 히로시, 나토리 이와오*
일본전기(주), 히타치 도쿄 일렉트로닉스
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 28p-PB-8

50. MOCVD-BST에 대한 어닐링 효과

우에다 미치히토, 오오츠카 타카시, 모리타 키요유키
마쓰시타 전기 산업(주) 중앙 연구소
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 28p-ZF-9

51. 아세틸렌 흡착 Si(100) 표면에서의 수소 탈리

나카자와 히데키, 스에미츠 마키
도호쿠대학 전기통신연구소
제45회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1998년 봄): 29a-YG-11

52. Si 표면에서의 Si 수소화물 흡착 및 수소 탈리 과정

스에미츠 마키
도호쿠대학 전기통신연구소
제45회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1998년 봄): 29a-ZR-5

53. 초고진공 재료의 표면 처리에 정밀 화학 연마 적용

이노요시 사카에, 사이토 카즈야, 사토 유키에, 츠카하라 소노코, 이시자와 카츠오*, 노무라 켄*, 시마다 아키히사*, 가나자와 미노루**
일본진공기술(주), *삼애석유(주), **삼애플랜트공업(주)
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄): 29p-X-10

54. 스테인리스강 표면에서의 물 상승온 탈리 특성

다나카 토모나리, 다케우치 교코, 쓰지 야스시
(주)알백 코퍼레이트 센터
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 29p-X-5

55. Si 박막으로 피막한 스테인리스강의 저가스 방출 특성

이나요시 사카에, 사토 유키에, 츠카하라 소노코, 가나하라 아키라*
일본진공기술(주), *가나자와 공대
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 29p-X-7

56. LPD 저유전율 유기 실리카 막(II) - 각종 함유 유기기의 내열성 -

小林光男*, 住村和仁, 菅原聡, 服部健雄*, 松村正清
동경공대 공학부, *무사시공대 공학부
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 30a-M-10

57. CO/a-Si:H에서의 실리사이드 형성(I)

후루바야시 오사무, 츠치야 마사히코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
도쿄 전기대학 공학부
제45회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1998년 봄): 30a-N-5

58. N₂ 및 NH₃ 중에서의 CO 실리사이드 형성 과정 - 잔류 산소의 영향 -

쓰쓰미 노리코, 스기야마 다츠오*, 에토 류지*, 가미마에 타카시**, 오가와 신이치*
마쓰시타 전자공업(주) 마이크로컴퓨터 사업부, *마쓰시타 전자공업(주) 프로그래밍 개발센터, **마쓰시타 테크노리서치(주)
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 30a-N-6

59. H₂O 플라즈마를 이용한 HSQ 막 열화 억제 애싱 연구

타마오카 에이지, 아오이 노부오, 우에다 테츠야, 야마모토 아키히로, 마유미 슈이치
마쓰시타 전기 산업(주) 프로세스 개발 센터
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 30p-M-10

60. 저유전율 유기층간절연막의 고온 특성

고상순, 도미자와 토모히로, 이노토모 켄, 하라 토오루
호세이대학 공학부
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 30p-M-7

61. 저유전율 이온 주입 유기 SOG 막에서의 열탈리 특성

마츠바라 나오키, 미즈하라 히데키, 와타나베 히로유키, 미노사와 요시유키, 이노우에 야스노리, 하나부사 히로시, 요시토시 케이이치
산요전기(주) 마이크로일렉트로닉스 연구소
제45회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998년 봄): 30p-M-9

1997：논문·잡지·책

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
*1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

G.A. Young and J.R. Scully
Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
Appl.Catal.A,165,57(1997)

7. 기판 표면의 오염물 분석법: 승온 탈리 분석

야부 스미히사
NTT 어드밴스트 테크놀로지
반도체 공정 환경에서의 화학적 오염 및 그 대책, 리얼라이즈사, p291

1997: 학회 초록

1. TDS, FT-IR을 이용한 Si 산화막의 막질 평가

데라다 쿠미, 우메무라 소노코, 테라모토 아키노부*, 고바야시 키요테루*, 구로카와 히로시, 바바 후미오
미쓰비시전기(주) 첨단종합연구소, *UL연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 2a-D-10

2. PECVD-SiO₂ 게이트 절연막 내 구조수 감소

유다 가쓰히사, 다나베 히로시, 세라 켄지, 오쿠무라 후지오
NEC 기능전자연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-K-3

3. 헬륨-수소 2단 주입 실리콘 웨이퍼에서의 블리스터 형성 거동

나카지마 겐, 타카다 료코, 스도 미츠루, 카이누마 미츠히로*, 나카이 테츠야, 토미자와 켄지
미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 기술본부 개발센터, *미쓰비시 머티리얼(주) 종합연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-PB-2

4. TDS를 통한 Smart-Cut 동작의 직접 관찰(2)

타카다 료코, 타카이시 카즈나리, 토미자와 켄지
미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 기술본부 개발센터
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-PB-3

5. C49/C54 TiSi₂ 상전이의 TDS에 의한 현장 관찰

다나카 히로유키, 히라시타 노리오, 키타 아키오
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구 개발 센터
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4a-D-10

6. ECR-CVD SiOF 막으로부터의 불소 이탈 영향

우사미 타츠야, 고미 히데키
NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4a-K-5

7. 불소 변성에 의한 수소 실세스퀴옥산의 낮은 유전율화 검토

나카타 요시히로, 후쿠야마 슌이치, 카타야마 린코, 야마구치 조
(주)후지쯔 연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4p-K-15

8. 메틸실란-H₂O₂계 자기평탄화 CVD 공정

마츠우라 마사즈미, 이우치 타카아키*, 마스다 타카히로*, 마시코 요지
미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소, *리켄세미컨덕터(주)
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4p-K-2

9. 무기 다공질 막 SOG 재료(HPS)의 물성 평가

무라구치 료, 나카지마 아키라, 코마츠 미치로, 오쿠라 요시유키*, 미야지마 모토모리*, 하라다 히데키**, 후쿠야마 슌이치**
촉매화성공업(주) 파인연구소, *후지쯔(주), **(주)후지쯔연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4p-K-7

10. 형광체 분말과 수성 유리(수성 유리)의 가스 방출 특성

야마네 미유키, 다카하시 주인*, 히라사와 시게미**, 오세키 에츠히로***
(주)히타치제작소 기계연구소, *카사도 공장, **전자디바이스사업부, ***히타치 디바이스 엔지니어링(주)
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4p-ZT-8

11. 이온 주입된 실리콘 웨이퍼 표면에 대한 유기물 흡착 평가

사가 코이치로, 하토리 타케시
소니(주) 반도체 컴퍼니 초LSI연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-D-2

12. 웨이퍼 박스 보관 시 산화 방지제(BHT)의 실리콘 웨이퍼에 대한 흡착 형태

이마이 토시히코, 미즈노 토시히코, 하타노 토오루
신에츠 반도체(주) 반도체 시라카와 연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-D-4

13. 각종 세척 후 Si 표면에 대한 클린룸으로부터의 유기물 오염 및 재세척에 의한 제거

나카모리 마사하루, 아오토 나호미
NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-D-5

14. APIMS-TDS를 이용한 Si 웨이퍼 표면 흡착 IPA 분석

모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
신일본제철(주) 첨단기술연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-D-7

15. 수소 주입에 의한 보이드 컷 SOI(4)

카키자키 요시오, 하라 토오루, 이노우에 모리오*, 카지야마 켄지*
호세이대학 공학부, *이온 공학 연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-PB-4

16.1-MeV H+ 주입에 의한 단결정 Si 박막의 형성

나카다 조지, 니시오카 타카시*
NTT 기초연구소, *NTT 광전자공학연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 3p-ZK-12

17. 저유전율 플루오로카본 막의 고온 특성

타카아사 준, 토미자와 토모히로, 이노루 켄, 하라 토오루, Yang*, D.Evans*, 카키자키 케이조**
호세이대학 공학부, *SMT, **샤프 ULSI 연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4a-K-8

18. 벤젠을 이용한 a-C:H 막의 특성 연구

정 외
삼성전자(주) 반도체연구소
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 4p-YA-3

19. 미세 홀 내부 잔류 황산 성분의 순수 전해 양극 수 린스

야마자키 신야, 아오키 히데미츠, 아오토 나호미, 후타츠기 타카시*, 야마시타 코우코*, 야마나카 히로츠구*
NEC ULSI 디바이스 개발 연구소, *오르가노(주)
제58회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1997가을): 5a-D-8

20. 폴리메탈 배선(VIII) - WNX 막 내 질소의 탈리 과정 -

나카지마 카즈아키, 아카사카 야스시, 미야노 키요타카, 다카하시 마모루*, 스에히로 신타로*, 스구로 쿄이치
(주)도시바 마이크로일렉트로닉스 기술연구소, *(주)도시바 환경기술연구소
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997년 봄): 28a-PB-14

21. SiH4-H2O2 기반 CVD 산화막 공정에서의 NMOS 핫 캐리어 신뢰성 평가

쿠보 마코토, 야히로 카즈유키, 토미타 켄이치
(주)도시바 반도체 생산기술추진센터
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997 봄): 28p-F-18

22. 트리에톡시실란(TRIES)을 이용한 SiO₂ 막(II)

하토리 사토시, 하라다 카츠카
동아합성(주) 신소재연구소
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997 봄): 29p-F-13

23. TDS를 통한 Smart-Cut 동작의 직접 관찰

다카다 료코, 다카이시 카즈나리, 도미자와 겐지
미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 기술본부 개발센터
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997년 봄): 29p-G-11

24. 건조 후 웨이퍼 표면에 잔류하는 흡착 IPA의 평가

사가 코이치로, 오카모토 아키라, 쿠니야스 히토시, 하토리 타케시
소니(주) 반도체 컴퍼니 초LSI 연구소
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-D-11

25. 메틸실란-H₂O₂계 자기평탄화 CVD 공정(1)

마츠우라 마사즈미, 마스다 히로타쿠*, 이우치 타카아키*, 마시코 요지
미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소, *리켄세미컨덕터(주)
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄): 30p-F-14

26. SiH4/H₂O₂ CVD 산화막의 성막 특성

요시에 토오루, 시모카와 키미아키, 요시마루 마사키
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구 개발 센터
제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-F-15

27. 수소 라디칼을 이용한 고신뢰성 SiOF 막 형성

후쿠다 타쿠야, 사사키 에이지*, 호소카와 타카시, 고바야시 노부요시
(주)히타치 제작소 반도체 기술 개발 센터, *히타치 초LSI 엔지니어링
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-F-20

28. 반도체 층간 절연막으로부터의 물의 가열 탈리 스펙트럼 분석

오오타케 아츠시, 고바야시 가네야, 가토 세이타카*, 후쿠다 타쿠야*
(주)히타치제작소 히타치연구소, *(주)히타치제작소 반도체사업부
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-F-21

29. 비-E.B. 폴리실라잔 SOG의 막 형성 특성

사이토 마사요시, 히라사와 겐사이, 사카이 켄지, 호리타 카츠히코*, 가토 세이타카, 다카마츠 아키라, 고바야시 노부요시
(주)히타치제작소 반도체사업부, *히타치마이크로컴퓨터
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-F-5

30. 저유전율 HSQ 막 특성의 구조 의존성

고토 긴야, 키타자와 요시유키*, 마츠우라 마사즈미, 마시코 요지
미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소, *미쓰비시전기(주) 첨단기술종합연구소
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997년 봄): 30p-F-8

31. H+ 주입에 의한 Si 박막층의 형성

카키자키 요시오, 키하나 다케오, 오오시마 소타로, 하라 토오루, 이노우에 모리오*, 카지야마 켄지*
호세이대학 공학부, *이온 공학 연구소
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 29p-G-12

32. Si(100) 표면에 대한 PH₃ 실온 흡착 과정

츠키다테 겐카즈, 스에미츠 마키
도호쿠대학 전기통신연구소
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997년 봄): 29p-ZN-10

33. P로 피복된 Si(100) 표면에 대한 SiH₄ 및 Si₂H₆의 실온 흡착

츠키다테 겐카즈, 스에미츠 마키
도호쿠대학 전기통신연구소
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997년 봄): 29p-ZN-11

34. Si(100) 표면에서의 Te 흡착 구조

다미야 겐이치, 오오타니 타쿠야, 다케다 야스시, 우라노 토시오, 후쿠하라 타카히로, 카네코 슈이치, 혼고 쇼조
고베대 공학부
제44회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1997년 봄): 29p-ZN-2

35. Si(100) 표면에 대한 Cs, D 공흡착 구조의 MDS, TDS 연구

하세베 히로유키, 시미즈 마사유키, 코지마 카오루, 혼고 쇼조, 우라노 토시오
고베대 공학부
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 29p-ZN-4

36. Li, D 공흡착 Si(100) 표면의 MDS, TDS에 의한 관측

후쿠하라 다카히로, 가네코 슈이치, 코지마 카오루, 혼고 쇼조, 우라노 토시오
고베대 공학부
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 29p-ZN-5

37. Ba와 D를 공흡착시킨 Si(100) 표면에서의 중수소 이탈 메커니즘

코지마 카오루, 후지우치 시게요시, 혼고 쇼조, 우라노 토시오
고베대 공학부
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄): 29p-ZN-6

38. 미세 홀 내부의 잔류 황산 성분

야마자키 신야, 아오키 히데미츠, 니시야마 이와오*, 아오토 나호미
NEC ULSI 디바이스 개발 연구소, *NEC 마이크로일렉트로닉스 연구소
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-D-8

39. SiOF 막 내 수분이 유전율에 미치는 영향

우에다 사토시, 스가와라 다케시, 우에다 테츠야, 타마오카 에이지, 마유미 슈이치
마쓰시타 전기 산업(주) 반도체 연구 센터
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-F-18

40. 전자빔 조사에 의한 수소화 실세스퀴옥산 무기 SOG의 막 특성 개선

양경준, 최동규, 왕시경, L. 포스터, 나카노 마사
동맹 신호 AMM
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 30p-F-2

41. TOF-ESD 및 FTIR 현장 관찰을 통한 금속 표면에 대한 CO 흡착 연구

우에다 카즈유키, 다테 마사카즈, 요시무라 마사미츠, 시라와치 키쿠오*, 니시자와 세이지*
도요타 공대(대학원), 일본 분광
제44회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997년 봄): 31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

Nigel P. Hacker
Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43. HSQ 막 특성의 구조 의존성

마쓰우라 마사즈미
미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소
The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996: 논문·잡지·책

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
*1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
*1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3. 히라시타 기오 학위 논문

히라시타 노리오
오키 전기 공업(주) 초LSI 개발 센터
전기통신대학(1996)

4. Si 기판 표면 흡착물의 열탈리 거동

진보 토모코, 이시카와 가쓰히코*, 이토 마사키*, 츠가네 사토시, 타나베 요시카즈, 사이토 요시오, 토미오카 히데키
히타치 제작소 디바이스 개발 센터, *히타치 제작소 반도체 사업부
신학기보 TECHNNICAL REPORT OF IEICE.,ED96-11,SDM96-11,75(1996)

5. LSI 제조 공정 청정화를 위한 극한 미량 분석

야부모토 노리쿠니
NTT 어드밴스드 테크놀로지 코퍼레이션
NTT REVIEW, 8, 70(1996)

6. 화학적 기상 증착법으로 제조된 (Ba, Sr)TiO3 박막의 열 탈착 분광법

Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996: 학회 요지

1. SIMS 및 수정된 TDS를 이용한 얇은 D2O 산화 SiO2의 비대칭 수소 프로파일 증거

Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2. 실리콘 내 OH가 AHF(무수 불산) 에칭에 미치는 유의미한 영향

무라오카 고이치, 쿠니시마 이와오, 하야사카 노부오, 다카기 신이치
ULSI 연구소, 도시바 주식회사
Extended Abstracts of the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3. TDS 승온 탈리 분석을 통한 열산화막 내 수소 평가

寺田久美, 黒川博志, 小林清輝*, 카와사키 요지*
미쓰비시전기(주) 첨단종합연구소, *UL연구소
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 7a-H-3

4. 잔류 불소에 의한 유기물의 웨이퍼 표면 흡착 가속

사가 고이치로, 하토리 타케시
소니(주) 반도체 컴퍼니 초LSI연구소
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 8a-L-7

5. 접합 계면에 미치는 웨이퍼 표면 흡착물의 영향

타카다 료코, 오오시마 노보루, 타카이시 카즈나리, 토미자와 켄지, 신교우치 타카유키*
미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 기술본부 개발센터, *미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 기술본부 공정기술부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 8p-L-6

6. LPCVD-SiN 막의 수소에 기인한 핫 캐리어 수명 열화 현상(2)

우치다 에이지, 토키토 슌이치, 시부사와 카츠히코*, 무라카미 노리오*, 나카무라 타카하루*, 아오키 히로시*, 야마모토 유히로*, 히라시타 노리오
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구개발 센터, *오키 전기 공업(주) 공정 기술 센터
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 8p-R-18

7. 분자궤도법을 이용한 SiOF 막 형성용 가스의 분자 해리 반응 분석

오오타케 아츠시, 고바야시 카네야, 타고 카즈노, 후쿠다 타쿠야*, 호소카와 타카시*, 가토 세이타카*
(주)히타치제작소 히타치연구소, *(주)히타치제작소 반도체사업부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9a-H-1

8. 탄소 함유율을 변화시킨 유기 SOG의 평탄화 특성

히라사와 겐사이, 사이토 마사요시, 가토 세이타카
(주)히타치 제작소 반도체 사업부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9a-H-20

9.(C₂H₅O)₃SiF／(C₂H₅O)₃SiH를 이용한 PECVD법에 의한 SiOF 막의 성막 특성

키토 에이지, 무로야마 마사카즈, 사사키 마사요시
소니(주) 반도체 컴퍼니 제1LSI부문
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9a-H-5

10. 불소 첨가 SiO 막의 흡습 메커니즘 연구

무로야마 마사카즈, 하가 유타카, 사사키 마사요시
소니(주) S.C. 제1LSI 부문
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9a-H-9

11. Si 웨이퍼 표면의 부착 유기물 관찰

마츠오 치즈코, 타카이시 가즈나리, 토미자와 켄지, 신교우치 타카유키*
미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 기술본부 개발센터, *미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 기술본부 공정기술부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9a-L-8

12. Pd/a-Si:H/c-Si 적층막에서의 실리사이드화 과정(1)

안도 신이치, 고바야시 오사무, 아다치 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
도쿄 전기대학 공학부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 7p-N-18

13. Si(100) 표면에서의 고차 수소 탈리 과정

나카자와 히데키, 스에미츠 마키, 미야모토 노부오*
도호쿠대학 전기통신연구소, *도호쿠가쿠인대학 공학부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 8p-W-12

14. Cs, D 공흡착 Si(100) 표면의 MDS에 의한 관측

하세베 히로유키, 후쿠하라 타카히로, 코지마 카오루, 시미즈 마사유키, 혼고 쇼조, 우라노 토시오
고베대학 공학부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 8p-W-13

15. 타샤리부틸포스핀의 Si(001) 표면에서의 분해 과정에 대한 HREELS 연구

카네다 겐타, 사나다 노리아키, 후쿠다 야스오
시즈오카 대학 전자 연구소
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 8p-W-17

16. 전자빔 경화를 수행한 유기 SOG 막의 특성 분석

최동규, J. 케네디, L. 포스터, 나카노 마사
얼라이드 시그널 AMM
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9p-H-17

17. TD-APIMS를 이용한 이온 주입 결함에 대한 수소 트랩 관찰

야부 스미쿠니, 사토 요시유키*, 사이토 카즈유키**
NTT 경계 연구소, *NTT LSI 연구소, **아이즈 대학
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9p-L-1

18. H+ 주입에 의한 보이드 컷 SOI(2)

카키자키 메구미, 키하나 다케오, 오오시마 소타로, 키타무라 타이, 하라 토오루
호세이대학 공학부
제57회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1996가을): 9p-P-2

19. SiH₄/CF₄ 가스를 이용한 바이어스 ECR-CVD SiOF 막의 특성

우사미 다쓰야, 이시카와 타쿠, 혼마 테츠야
NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26a-N-10

20. 저유전율 PTFE 박막의 평가

하세가와 토시아키, 마쓰자와 노부유키*, 카도무라 신고, 아오야마 준이치
소니(주) 초LSI연구소, *중앙연구소
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26a-N-2

21. 수소 실세스퀴옥산(HSQ)의 유전율 평가

미야나가 다카시, 사사키 나오토, 카메오카 카츠야, 모리야마 이치로, 사사키 마사요시
소니(주) 반도체 컴퍼니 제1LSI부문
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26a-N-6

22. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG 막의 개질(V)

와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미노사와 요시유키, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키, 마메노 카즈노부
산요전기(주) 마이크로일렉트로닉스 연구소
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26a-N-7

23. LPCVD-SiN막의 수소에 기인한 핫 캐리어 수명 열화 현상

토키토 슌이치, 시부사와 가쓰히코, 무라카미 노리오*, 우치다 에이지, 나카무라 타카하루*, 아오키 히로시*, 야마모토 유히로*, 히라시타 노리오
오키전기공업(주) 초LSI연구개발센터, 공정기술센터
제43회 응용물리학관계연합강연회예고집(1996년 봄): 27p-E-4

24. 플라스틱 박스에서 방출하는 유기 첨가제의 웨이퍼 표면 흡착 메커니즘

사가 고이치로, 후루야다 사쿠오, 하토리 타케시
소니(주) 반도체 컴퍼니 초LSI 연구소
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 27p-F-12

25. 무수 HF 가스에 의한 in-situ 자연 산화막 에칭 메커니즘

무라오카 고이치, 쿠니시마 이와오, 하야사카 노부오, 타카기 신이치, 토리우미 아키라
(주)도시바 ULSI연구소
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄): 28a-K-3

26. 바이어스 ECR CVD SiO₂ 막의 방출 가스가 W 플러그 공정에 미치는 영향

芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
소니(주) 반도체 컴퍼니 제1LSI 부문
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 29p-N-8

27. 테트라메틸티란/산소 라디칼 반응에 의한 저유전율 절연막의 형성

나라 아키코, 이토 히토시
(주)도시바 ULSI 연구소
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26a-N-1

27. 테트라메틸티란/산소 라디칼 반응에 의한 저유전율 절연막의 형성

요시다 이와오, 스기타 토시오*, 노구치 미네오*
도쿄 이과대 기초공학부, *공학부
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26a-PA-12

29. a-Si:H 막 구조의 미결정화 과정에 의한 평가(III)

나카시마 고코, 오오시마 다카후미, 혼바시 미츠야, 혼마 카즈아키
도쿄 전기대학 공학부
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26a-TC-10

30. SiOF 막에서의 흡습성 검토

시노하라 리카, 쿠도 히로시, 타케이시 슌사쿠, 야마다 마사오
후지쯔(주) 공정개발부
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 26p-N-12

31. 산소 이온 주입 Si 기판에서의 SiO 탈리

이시카와 유카리, 시바타 노리요시
파인세라믹스센터
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄): 27p-P-9

32. 승온 탈리법을 이용한 순수 티타늄의 진공 특성 평가

아키타니 슈지, 혼마 사다카즈
치바 공업대학
제43회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996년 봄): 28p-ZL-3

1995: 논문·잡지·책

1.실리카 지지 니켈 촉매에서의 수소 탈착 활성화 에너지 분포: 온도 프로그램 탈착 스펙트럼으로부터 결정

Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, ＊Takao Masuda, ＊Kenji Hashimoto
도호쿠 대학 화학 반응 과학 연구소, ＊교토 대학 화학 공학과
Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2. 가열 탈리 분석의 실리콘 표면 평가에의 응용

야부 쇼즈쿠니
NTT 어드밴스트 테크놀로지
표면 기술,46,47(1995)

3. Si 상 플라즈마 중합 플루오로카본 필름의 열분해에 관한 X-선 광전자 분광 연구

Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.열탈착 분광법을 이용한 비아 홀의 부식성 가스 배출 연구

S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
VLSI 연구개발센터, 오키 전기공업 주식회사, *공정기술센터, 오키 전기공업 주식회사
Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5. 온도 프로그램 X선 광전자 및 탈착 분광법을 이용한 불소화탄소 필름과 실리콘 간의 반응 연구

N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
VLSI 연구개발센터, 오키 전기공업 주식회사
Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.열탈착 분광법을 이용한 서브마이크론 접촉공 오염 직접 분석

Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7. 실리콘 웨이퍼 표면 분석 평가 기술: 웨이퍼 상의 흡착 분자 분석 평가 기술

야부 주혼
NTT 어드밴스 테크놀로지
실리콘 웨이퍼 표면 클린화 기술 별책, 리얼라이즈사, p101

1995년: 학회 요지

1. 헬리콘파 플라즈마 CVD를 이용한 SiOF 막의 막질 평가

芳賀豊, 室山雅和, 佐々木正義
소니(주) 반도체 컴퍼니 제1LSI부문
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26a-ZB-3

2. 저유전율 표면 보호막에 미치는 흡습의 영향

아다치 에츠시, 아다치 히로시, 무토 히로타카, 후지이 하루히사
미쓰비시전기(주) 중앙연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26a-ZB-6

3. 플라즈마 산화막의 수분 투과 억제 기전 연구

우치다 히로아키, 토키후지 슌이치*, 사카야 요시히로, 히라시타 노리오*
오키 전기 공업(주) 공정 기술 센터, *초LSI 연구 개발 센터
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26a-ZB-9

4. 전극 계면 근방에서의 CVD-BST 막 특성

야마무카 미키오, 카와하라 타카아키, 나카하타 타쿠미, 유키 아키마사, 오노다 카이치
미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26a-ZG-7

5. 고유전율 재료 (Ba, Sr)TiO3 막의 형성 및 계면 제어

유키 아키마사
미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26p-W-6

6. TiCl₄를 이용한 CVD TiN 막의 염소 함유량과 막 품질

가와시마 아츠시, 미야모토 타카아키, 카도무라 신고, 아오야마 준이치
소니(주) 반도체 컴퍼니 초LSI연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 27a-PB-8

7. 고온 증착 O3-TEOS NSG 막의 평가

아지사와 하루히코, 사이토 마사키, 모리야마 이치로, 사사키 마사요시
소니(주) 반도체 컴퍼니 제1LSI 부문
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28a-PC-11

8. 수소화 실세스퀴옥산 SOG의 층간 절연막으로서의 특성

코야나기 겐이치, 키시모토 코지, 혼마 테츠야
일본전기(주) ULSI 디바이스 개발 연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28a-PC-2

9. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG 막의 개질(IV)

와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미노사와 요시, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키
산요전기(주) 마이크로일렉트로닉스 연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28a-PC-4

10. H₂O 첨가 스퍼터링법으로 형성한 비정질 ITO 막의 열처리에 의한 구조 변화

니시무라 에츠코, 안도 마사히코, 오니자와 켄이치, 미네무라 테츠로, 타카하타 마사루*
(주)히타치 제작소 히타치 연구소, *전자 디바이스 사업부
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28a-ZH-8

11. 밀도 제어에 의한 SiOF 막의 저흡습화

쿠도 히로시, 아와지 나오키*, 시노하라 리카, 타케이시 슌사쿠, 호시노 마사타카, 야마다 마사오
후지쯔(주) 프로세스 개발부, *ULSI 연구부
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26a-ZB-10

12. 고유전율체용 전극 재료의 TDS 평가

아시다 유타카, 나카바야시 마사아키, 키무라 타카아키, 모리 하루히사
후지쯔(주)
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26a-ZG-1

13. TDS법에 의한 히(注)소 이온 주입 결함의 분석

사이토 카즈유키, 사토 요시유키*, 혼마 요시카즈**, 야부 쇼쿠니**
아이즈대학, *NTT LSI 연구소, **NTT 경계 연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26p-ZP-9

14. 패시베이션 막 내 수소가 실리콘 매달린 결합에 미치는 영향

데라다 쿠미, 구로카와 히로시, 고바야시 준지, 카와노 히로아키*, 고바야시 카즈오**, 코가다 데츠오
미쓰비시전기(주) 재료연구소, *기타이타미 제작소, **구마모토 제작소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26p-ZV-15

15. 표면 수소 탈리에 의해 유도된 실리콘 상의 알루미늄 선택적 CVD 반응

가쓰타 요시히코, 코나가타 시노부, 사카가미 히로유키, 신미야하라 쇼조, 타카하기 타카유키
히로시마 대학 공학부
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 26p-ZV-8

16. TDS 및 SIMS를 이용한 SiO₂ 막 내 Ar의 정량 분석

츠카모토 카즈요시, 마츠토시 토시유키, 와타나베 케이이치, 모리타 히로히로, 야마나시 히토시*, 요시오카 요시아키
(주)마쓰시타 테크노 리서치 기술부 반도체 분석 그룹, *마쓰시타 전기 산업(주) 생산 기술 본부 박막 가공 연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 27a-C-3

17. Ar+－IBARD 법으로 제작한 TiOX 박막의 Ar 가열 탈리 특성

사사세 마사토, 야마키 다카히로*, 미야케 키요시**, 타카노 이치로, 이소베 쇼지
공학원대학 공학부, *히타치 제작소 히타치 연구소, **히타치 제작소 전개본
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 27p-ZH-9

18. 수소 종단 Si(100) 2×1 표면에서의 Na 흡착·탈착과 전자 상태(I)

후지모토 노리히로, 코지마 카오루, 혼고 쇼조, 우라노 토시오
고베대학 공학부
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 27p-ZL-2

19. 알코올 첨가가 TEOS/O₃ 상압 CVD 반응에 미치는 영향(IV) - 테트라메톡시실란 원료에 대한 첨가 -

이케다 고이치, 마에다 마사히코
NTT LSI 연구소
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28a-PC-9

20. 산소 라디칼 어닐링에 의한 Ta₂O₅ 박막의 누설 전류 저감 효과

마츠이 유이치, 토리이 카즈노리, 이토가 토시히코, 이이지마 신페이*, 오오지 요시*
히타치 중공업, *히타치 반도체
제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28p-PC-3

21. TDS를 이용한 접합 웨이퍼 평가 - 웨이퍼 뒷면의 기여도 -

다카다 료코, 오카다 치즈코, 콘도 히데유키, 타츠타 지로, 후루야 히사시, 신교우치 타카유키
미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 중앙연구소
제42회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1995년 봄): 28a-X-2

22. TDS를 이용한 접합 웨이퍼 평가 II - 접합 계면에서의 기여 -

오카다 치즈코, 타카다 료코, 콘도 히데유키, 타츠타 지로, 후루야 히사시, 신교우치 타카유키
미쓰비시 머티리얼 실리콘(주) 중앙연구소
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄): 28a-X-3

23. DCS-WSiX 막 내 불소, 염소 함유량 및 TDS 분석

야마자키 오사무, 오미나미 노부유키, 타니카와 마코토, 이구치 가쓰지, 사키야마 케이조
샤프(주) 초LSI 개발 연구소
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 29a-K-8

24. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG 막의 개질(II)

와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미노사와 요시이, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키
산요전기(주) 마이크로일렉트로닉스 연구소
제42회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1995년 봄): 30a-C-1

25. TEOS-O3 증착막의 응력과 구조·조성의 열변화

우메자와 카오리, 츠치야 노리히코, 야부키 무네, 후지이 오사무*, 오모리 히로후미*, 마쓰모토 메이지*
(주)도시바 반도체 사업본부, *(주)도시바 연구개발센터
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄): 30a-C-10

26. SiH₄-H₂O₂계 CVD 산화막을 이용한 층간 절연막 형성 공정(2)

마츠우라 마사즈미, 니시무라 츠네유키*, 하야시데 요시오, 히라야마 마코토, 이우치 타카아키*
미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소, *라이덴 세미컨덕터(주)
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 30a-C-4

27. 폴리카보실란을 이용한 평탄화

고바야시 린코, 후쿠야마 슌이치, 나카다 요시히로
(주)후지쯔 연구소
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 30a-C-6

28. 페놀 화합물에 의한 퍼하이드로실라잔의 산화 촉진

나카다 요시히로, 후쿠야마 슌이치, 코바야시 린코, 하라다 히데키*, 오쿠라 요시유키*
(주)후지쯔 연구소, *후지쯔(주)
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 30a-C-7

29. TDS에 의한 수소 주입 Si 기판에서의 수소 탈리 거동 분석

오쿠무라 하루키, 하세가와 고케이, 소에다 후사미
도레이 리서치 센터
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 30a-H-1

30. 플라즈마 CVD-SiO 막 특성의 RF 주파수 의존성

고노 히로유키, 이와사키 겐야
미야자키 오키 전기(주)
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 30p-C-13

31. TDS에 의한 이온 주입 불순물(B, P, As)의 검출

야부 쇼즈쿠니, 혼마 요시카즈, 사토 요시유키*, 사이토 카즈유키**
NTT 경계 연구소, *NTT LSI 연구소, **아이즈 대학
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 28a-X-1

32. 승온 탈리법을 이용한 유리 기판 상 유기 분자의 거동 평가

다카하시 요시카즈, 이나요시 사카에, 사이토 카즈야, 츠카하라 소노코, 이이지마 마사유키
일본 진공 기술(주) 츠쿠바 초재료 연구소
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 28a-ZS-4

33. Si 웨이퍼 표면의 유기 오염 물질의 화학 조성

타카하기 다카유키, 코지마 아키히로, 사카가미 히로유키, 신미야하라 쇼조, 야시마 히로시*
히로시마 대학 공학부, 도레이 리서치
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 29a-PA-14

34. 인산 처리 후 GaAs 표면의 평가

하야시 에이지, 나가이 나오토, 나카가와 젠지, 나카야마 요이치, 소에다 후사미
도레이 리서치 센터
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 29a-ZN-2

35. CVD-TiN 막에서의 염소 탈기 특성 평가

스즈키 토시야, 사카이 타쿠야*, 오바 타카유키, 야기 하루요시
후지쯔(주), *후지쯔 VLSI(주)
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄): 29p-K-3

36. HF 처리된 Si 표면에서의 IPA 흡착 II

미야타 노리유키, 코지리 히데히로*, 야마시타 요시미, 오카무라 시게루, 히사츠구 노리시게
(주)후지쯔 연구소, *후지쯔(주)
제42회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995년 봄): 29p-PA-20

1994: 논문·잡지·책

1. Si 및 SiO₂ 위에 증착된 CFx 층의 열 탈착 분광법 및 X선 광전자 분광법 연구

Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui 및 Jun Kanamori
VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2. 에칭 용액 내 Si 표면의 화학적 상태에 대한 현장 적외선 연구

니와노 미치오, 기무라 야스오, 미야모토 노부오
도호쿠 대학 전기통신연구소
Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3. 가열 탈리 가스 분석법을 이용한 반도체 집적 회로 재료로부터의 방출 가스 정량 분석

히라시타 노리오, 우치야마 야스조*
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구 개발 센터, *전자 과학(주)
분석 화학,43,757(1994)

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8. 유기물에 의한 표면 오염

고하기 다카유키
(주)도레이 리서치 센터
일본 공기 정화 협회지, 7, 32(1994)

9. 자기-마이크로파 플라즈마에서의 미세 접촉공 식각

Y.미야카와, J.하시모토, N.이케가미, T.마츠이, J.카나모리
오키전기산업(주) VLSI 연구개발센터
Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10. 열탈착 분광법을 이용한 오스테나이트계 스테인리스강 내 수소 농도 측정

미즈노 마사코, 안자이 히데야, 아오야마 타카시, 스즈키 타카야
히타치 주식회사 히타치 연구소
Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.TDS에 의한 탈리 가스 분석－전자 재료를 중심으로－

오쿠무라 하루키, 다카하기 다카유키
(주)도레이 리서치 센터 표면 과학 연구부
THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994: 학회 초록

1.열탈착 분광법을 이용한 비아 홀의 부식성 아웃가스 연구

S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
VLSI 연구개발센터, *공정기술센터
1994년 국제 고체소자 및 재료 학회 확장 초록집, 요코하마, 1994, pp.925-927

2. TDS법을 이용한 CVD 증착 (Ba, St)TiO3 막의 특성 평가

야마무카 미키오, 카와하라 타카아키, 마키타 테츠로, 유키 아키마사, 오노 다카이치, 우에하라 야스시*
미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소, *재료 디바이스 연구소
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 19p-M-5

3. PECVD SiO₂ 막의 흡습 특성(II)

우사미 타카시, 시모카와 키미아키, 요시마루 마사키
오키전기공업(주) 초LSI연구개발센터
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 20p-ZC-14

4. 퍼하이드로실라잔의 막 형성 메커니즘 II

오쿠라 요시유키, 하라다 히데키, 시미즈 아츠오, 와타베 키요시, 후쿠야마 슌이치*, 나카시마 아키라**, 타카하시 미키**, 코마츠 미치로**
후지쯔(주) 프로세스 개발부, *(주)후지쯔 연구소, **촉매화성공업(주) 파인 연구소
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 20p-ZC-7

5. 승온 탈리 분광법(TDS)을 이용한 포토레지스트의 열 반응 거동 분석

사쿠마 데츠오, 이케다 아키히코, 요시노부 타츠오*, 이와사키 유*
아사히카세이 공업(주), *오사카대학 산업과학연구소
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 22a-ZB-8

6. 수소 상승온도 탈리 스펙트럼을 이용한 Si(100) 표면 원자적 평탄도 평가

나카자와 히데키, 스에미츠 마키, 김기준, 미야모토 노부오
도호쿠대학 전기통신연구소
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 20a-ZB-5

7. 실리콘 표면에서의 불소 탈리 및 수소 흡착

쿠보타 토오루, 시라이시 슈지, 사이토 요지
세이케이대학 공학부
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 20p-ZB-10

8. TEOS/O3 상압 CVD 반응에 대한 알코올 첨가 효과(III)－중수소 치환 알코올의 첨가－

池田浩一, 中山諭, 前田正彦
NTT LSI 연구소
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 20p-ZC-1

9. 플라즈마 CVD법에 의한 막 형성 조건이 기생 MOS-Tr.에 미치는 영향

오타 히로유키, 아사다 히토시, 사토 유키히로, 시미즈 아츠오, 와타베 키요시
후지쯔(주)
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 20p-ZC-9

10. 열산화막의 수분 흡습

오쿠노 마사키, 카타오카 유지, 코지리 히데히로*, 스기타 요시히로, 와타나베 사토시, 타카사키 켄고
(주)후지쯔 연구소, 후지쯔(주)
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 21p-ZB-15

11. Si(111) 표면 산화막의 TDS 관찰

渡部宏治, 伊藤文則, 平山博之
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
제55회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1994가을): 21p-ZB-16

12. TDS에 의한 Si 표면 유기물 오염 분석

오쿠무라 하루키, 타카하기 다카유키
도레이 리서치 센터
제41회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994년 봄): 29a-ZK-11

13. 유기 SOG의 무기화 베이크 처리

코바리 히데야, 오카노 스스무, 오오하시 나오후미*, 네즈 히로키*
도쿄응화공업(주) 개발본부, *(주)히타치제작소 디바이스개발센터
제41회 응용물리학관계연합강연회예고집(1994춘):30p-ZW-13

14. 폴리라다 오르가노실록산의 SOG로서의 응용 검토

아다치 에츠시, 아다치 히로시, 니시무라 히로유키, 미나미 신타로, 마츠우라 마사즈미*
미쓰비시전기(주) 중앙연구소, *ULSI개발연구소
제41회 응용물리학 관계 연합강연회 예고집(1994년 봄): 30p-ZW-14

15. 다층 배선 비아홀로부터의 NH3 탈리

時藤俊一, 내다 히데지*, 오쿠노 야스유키*, 후시미 키미히사*, 사카타니 요시히로*, 히라시타 노리오
오키전기공업(주) 초LSI연구개발센터, *공정기술센터
제41회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994년 봄): 30p-ZW-15

16. O3-TEOS 절연막의 막질 개질

타니가와 마코토, 도이 츠카사, 이시하마 아키라, 사키야마 케이조
샤프(주) 초LSI개발연구소
제41회 응용물리학관계연합강연회예고집(1994춘):30p-ZW-2

17.O3-TEOS 절연막의 막질 개선

코바리 히데야, 오카노 스스무, 미나토 미츠오
도쿄오카공업(주) 개발본부
제41회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994년 봄): 30p-ZW-3

18. PECVD SiOF 막의 흡습 특성

우사미 타카시, 시모카와 키미아키, 요시마루 마사키
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구 개발 센터
제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994년 봄): 30p-ZW-8

19. 기판 막 내 잔류물의 화학적 종 제어에 의한 TEOS/O₃ SiO₂ 막의 매립성 향상

久保享, 廣瀬和之, 本間哲哉, 村尾幸信
NEC ULSIデバイス開発研究所
제41회 응용물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994년 봄): 30p-ZW-4

20. 무전해 도금에 의한 바늘 모양 결정 형성에 미치는 기판의 영향

후지나미 토모유키, 요코이 이케카코, 혼마 히데오*
에바라 유지라이트(주), *간토가쿠인대학 공학부
표면기술협회 제90회 강연대회 요지집,168,(1994)：5C-19

1993: 논문·잡지·책

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
NTT LSI Laboratories
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
NTT LSI Laboratories
J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8. CVD 산화막의 흡습 과정과 물의 탈리 메커니즘

시토우 슌이치, 우치다 에이지, 히라시타 노리오
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구개발 센터
신학 기술 보고서 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9. Si-H 결합을 갖는 ECR 플라즈마-SiO2를 이용한 수분 유발 핫 캐리어 내성 저하 개선

K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
NTT LSI 연구소, *NTT 종합 연구소
신학기술보고서 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10. 플라즈마 CVD-SiO₂ 막의 흡습 특성

시모카와 키미아키
오키 전기 공업(주) 초LSI 개발 연구 센터
월간 Semiconductor World (1993.2)

11. 절연막의 흡습성을 둘러싼 여러 문제 - 평가 방법과 대책

코타니 히데오, 마츠우라 마사즈미, 하야시데 요시오
미쓰비시전기(주) LSI연구소
월간 Semiconductor World (1993.2)

12. TEOS-O3 상압 CVD NSG 막의 흡습성에 대한 저온 어닐링 효과

호소다 유키오, 하라다 히데키, 시미즈 아츠오, 와타베 키요시, 아시다 유타카
후지쯔 기초 공정 개발부, 개발 추진 본부
월간 Semiconductor World (1993.2)

1993: 학회 초록

1. 승온 열탈리 분석 장치를 이용한 Si 웨이퍼 표면의 유기물 평가

오카다 치즈코
미쓰비시 머티리얼(주) 중연구소
제54회 분석화학토론회 요지집(1993.06)

2. 가열 탈리법을 이용한 스테인리스강 중수소 분석법 연구

미즈노 마사코, 미사자와 유타카, 쿠니타니 지로, 키다 토시타카
(주)히타치제작소 히타치연구소
제54회 분석화학토론회 요지집(1993.06)

3. 플라즈마 강화 TEOS/O2 화학 기상 증착 시스템 상의 하프 마이크론 미만 금속 간격용 단일 단계 갭 필링 기술

무사카 가츠유키, 미즈노 신스케, 하라 기요아키
애플라이드 머티리얼즈 재팬 주식회사 기술 센터
1993년 국제 고체 소자 및 재료 학회 확장 초록집, 마쿠하리, 1993, pp.510-512

4. Si(100) 및 (111) 면상의 SC1 산화막의 가열 분해 탈리 분광법

岩崎裕, 中尾基, 吉信達夫, 内山泰三*
大阪大学産業科学研究所, *電子科学(株)
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을)

5. 수소 종단 Si(111) 표면의 수소 열탈리 거동

고하기 다카유키, 나고야 히로키, 나카가와 요시츠구, 나가이 나오토, 이시타니 쿄
도레이 리서치 센터
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을)

6. TDS(승온탈리 가스 분석)에 의한 Al막의 평가

바리오 무네노리, 오오노 히데키, 이노우에 미노루

7. 고농도 BPSG 막의 결함析出 및 그 억제 방법(3)－실릴화 처리의 효과－

야노 고사쿠, 테라이 유카, 스기야마 다쓰오, 엔도 마사타카, 우에다 테츠야, 노무라 노보루 마쓰시타 전기 반연구센터 야노 코사쿠, 테라이 유카, 스기야마 다쓰오, 엔도 마사타카, 우에다 테츠야, 노무

야노 코사쿠, 테라이 유카, 스기야마 타츠오, 엔도 마사타카, 우에다 테츠야, 노무라 노보루
마쓰시타 전기 반연 센터
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 16p-ZQ-16

8. 열처리한 플라즈마-CVD SiO₂ 막의 가열 탈리 가스 분석(TDS)

시토우 슌이치, 우치다 에이지, 히라시타 노리오
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구개발 센터
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993년 가을): 16p-ZQ-5

9. TEOS-O3 NSG의 기판 P-SiO₂ 의존성

우사미 다카시, 시모카와 키미아키, 요시마루 마사키
오키전기공업(주) 초LSI연구개발센터
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 16p-ZQ-7

10. 절연막의 고온 스트레스

星野和弘, 菅野幸保
소니(주) 초LSI개발본부
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 17p-ZQ-16

11. 승온 탈리 가스 분석법에 의한 탈가스의 정량 분석법 검토

히라시타 노리오, 토키후지 슌이치, 우치야마 타이조*, 히나기 야스시*
오키 전기 공업(주) 초LSI 연구개발 센터, *전자 과학(주)
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 27a-ZL-8

12. TDS법을 이용한 실리콘 표면의 수소 연구

타카하기 다카유키, 나고야 히로키, 나가사와 요시카츠, 이시타니 쿄
도레이 리서치 센터
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 28a-ZD-7

13. TiN/Ti 막으로 피복된 비아홀의 가스 방출 특성

마츠우라 마사즈미, 야마구치 스미오, 하야시데 요시오, 후루타니 히데오
미쓰비시전기(주) LSI연구소
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 29a-X-1

14. 퍼하이드로실라잔의 막 형성 메커니즘

나가시마 타카시, 하라다 히데키
후지쯔(주)
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 29a-X-10

15. 승온 열탈리 분석을 통한 오프앵글 (111) Si 웨이퍼 표면 평가

용전장, 小林弘之, 高橋功, 新行内隆之, 岡田千鶴子*
미쓰비시 머티리얼 중연구, *미쓰비시 머티리얼 실리콘
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 29a-ZD-10

16. 승온 열탈리 분석 장치를 이용한 Si 웨이퍼 표면의 유기물 평가

오카다 치즈코, 모리타 에츠로, 이노우에 후미오, 타츠타 지로*, 신교우치 타카유키*
미쓰비시 머티리얼 실리콘, *미쓰비시 머티리얼 중연구소
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 29a-ZD-11

17. 접촉홀 바닥 Si 표면의 자연 산화막 TDS 관측

나카모리 마사하루, 데라오카 유덴*, 아오토 나호미, 아오키 히데미츠, 니시야마 이와오*, 이카와 에이지, 요시카와 키미마로
일본전기(주) 마이크로전자연구소, *광전자 연구소
제54회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1993가을): 17p-ZP-8

1992: 논문·잡지·책

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

히라시타 노리오, 고바야카와 마사유키, 아리마츠 아키라, 요코야마 후미타카, 아지오카 츠네오
오키 전기 산업 주식회사
J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2. 이산화규소 불소화합물 건식 식각에서의 표면 반응 메커니즘 - 열적 여기 효과

N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Si(100) 상의 초박막 산화층의 열분해

Y.K.Sun, D.J.Bonser 및 Thomas Engel
워싱턴 대학교 화학학과 BG-10
J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4. Si의 사전 산화 세정 및 금속 산화물 반도체 특성에 미치는 영향

S.R.Kasi and M.Liehr
IBM 연구소, Thomas J.Watson 연구 센터
J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5. 실리카 유리 내 가스의 분석법

모리모토 유키히로
우시오 전기(주) 기술 연구소
뉴 세라믹스,9,65(1992)

6. TEOS/O3 산화막 내 수분에 의한 핫 캐리어 내성 열화 및 ECR-SiO2 막을 이용한 열화 억제법

시모야마 노부히로, 타카하시 준이치, 마치다 카츠유키, 무라세 카츠미, 미네기시 카즈시게*, 츠치야 토시아키
NTT LSI 연구소, *NTT 전자 기술
신학 기술 보고서 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-33,51(1992)

7. MOSFET 신뢰성 저하를 플라즈마 CVD SiO 막으로 억제

시모카와 키미아키, 우사미 타카시, 토키후지 슌이치, 히라시타 노리오, 요시마루 마사키
오키 전기 공업(주) VLSI 연구 개발 센터
신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM92-133,89(1992)

8. 표면 흡착 분자 분석 기술 - 승온 탈리 분광법의 ULSI 적용 -

이와사키 유타카
오사카대학 산업과학연구소
리얼라이즈사 브레이크스루 세미나 자료 No2, ULSI 제조를 위한 분석 평가 기술의 구축－최첨단 분석 평가 기술의 제조 라인 적용－(1992.11)

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